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本發(fā)明涉及pcb板生產(chǎn)，具體為一種pcb板生產(chǎn)用錫膏刮板機(jī)。、在pcb生產(chǎn)過程中，錫膏涂布是一項(xiàng)關(guān)鍵工序，其主要目的是將特定量的錫膏均勻地涂覆在pcb板的焊盤上，為后續(xù)的元器件焊接提供必要的材料，錫膏涂布的質(zhì)量直接影響焊接的可靠性和電路板的性能，錫膏刮板機(jī)是實(shí)現(xiàn)錫膏涂布的重要設(shè)備，在工作時...

本發(fā)明屬于電路板噴錫的，特別涉及一種電路板自動噴錫裝置。、在電子制造領(lǐng)域，噴錫板作為印刷電路板的一種關(guān)鍵表面處理工藝，占據(jù)著舉足輕重的地位。它通常應(yīng)用于多層高精密度的?pcb?制造工藝，廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、計算機(jī)、醫(yī)療設(shè)備以及航空航天產(chǎn)品等對性能和可靠性要求極高的領(lǐng)域，電路板表面噴錫這一工...

本發(fā)明屬于集成電路封裝，涉及一種d封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。、在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時代，高端ai芯片在人工智能、大數(shù)據(jù)處理等眾多前沿領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。隨著這些領(lǐng)域?qū)?shù)據(jù)處理能力和效率的要求不斷提高，高端ai芯片需要實(shí)現(xiàn)更高集成密度、更高帶寬、更低延遲與更低功耗，以滿足復(fù)雜算法和大規(guī)模數(shù)...

本申請涉及芯片封裝，具體涉及plc芯片封裝應(yīng)力動態(tài)均衡控制方法及系統(tǒng)。、在光通信領(lǐng)域，plc（planar?lightwave?circuit，平面光波導(dǎo)電路）芯片是一種將多種光學(xué)功能集成于一體的平面型光集成器件，廣泛應(yīng)用于分光、合波、耦合與波長選擇等核心光路模塊。、目前，主流的plc芯片...

本發(fā)明屬于電力設(shè)備冷卻，具體涉及一種無功補(bǔ)償裝置蒸發(fā)冷卻系統(tǒng)。、無功補(bǔ)償是維持電力系統(tǒng)安全、穩(wěn)定、高效運(yùn)行的關(guān)鍵技術(shù)，使用過程中可以提高功率因數(shù)，降低網(wǎng)損，通過就地補(bǔ)償感性或容性無功，降低線路和變壓器中的無功電流，從而減少有功損耗，釋放變壓器和輸電線路的容量，使其可傳輸更多有功功率，有效提...

本發(fā)明涉及射頻開關(guān)電路，具體涉及一種新型碳基射頻開關(guān)電路。、在當(dāng)前無線通信領(lǐng)域，射頻開關(guān)作為連接發(fā)射鏈路與接收鏈路的關(guān)鍵電路，其性能直接影響系統(tǒng)整體表現(xiàn)，核心指標(biāo)包括插入損耗、隔離度及功率承載能力等，目前主流的射頻開關(guān)工藝中，受限于材料與結(jié)構(gòu)特性，在高頻場景下性能表現(xiàn)不佳，且耐壓能力較弱，...

本申請屬于半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法。、高電子遷移率晶體管（high?electron?mobility?transistor，hemt）器件具有高頻率響應(yīng)、低導(dǎo)通損耗及高功率密度等優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于各種高頻、高功率的開關(guān)場景，有望大幅提升消費(fèi)類電子、新能源汽車以及數(shù)據(jù)中心...

本申請涉及顯示，尤其涉及一種顯示面板。、在柔性顯示面板的生產(chǎn)和使用過程中，由于受到外力沖擊、溫度變化、濕度影響等多種因素的作用，柔性顯示面板的邊緣容易產(chǎn)生裂紋。這些裂紋不加以控制，可能會逐漸延伸至顯示區(qū)域，從而影響顯示面板的制程顯示功能，出現(xiàn)顯示異常、亮點(diǎn)或者暗點(diǎn)等問題，降低顯示面板的良率...

本發(fā)明涉及空調(diào)，尤其涉及空調(diào)及其散熱風(fēng)扇組件、散熱方法、電子設(shè)備和存儲介質(zhì)。、目前行業(yè)內(nèi)開發(fā)的光伏逆變器等產(chǎn)品，核心發(fā)熱元器件散熱的主要手段是風(fēng)冷散熱的方式，常見的散熱裝置，利用鋁材散熱器貼緊發(fā)熱元器件，旁邊裝上散熱風(fēng)扇，構(gòu)建風(fēng)道，對其吹風(fēng)或者吸風(fēng)的方法，把熱量驅(qū)散到機(jī)組外部。此種散熱方式...

本發(fā)明涉及電子元件制造，尤其涉及一種用于igbt（絕緣柵雙極型晶體管）模塊的陶瓷線路板的生產(chǎn)方法。、igbt模塊作為電力電子變換和控制的關(guān)鍵部件，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、光伏發(fā)電等眾多領(lǐng)域。其性能的優(yōu)劣直接影響到整個系統(tǒng)的效率、可靠性和穩(wěn)定性。而陶瓷線路板作為igbt模塊中的重要組...

本發(fā)明屬于光電探測器，更具體地，涉及一種基于垂直內(nèi)建電場調(diào)控的異質(zhì)結(jié)光電探測器及其制備方法和應(yīng)用。、光電探測器在高速成像、光通信及實(shí)時傳感等領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用，其核心性能要求包括高靈敏度、低噪聲（暗電流）及快速響應(yīng)能力。二維過渡金屬硫族化合物（如mos）由于其可調(diào)節(jié)的帶隙、強(qiáng)光-物質(zhì)相互作用...

本發(fā)明涉及碳化硅芯片制備，具體涉及一種碳化硅激活退火設(shè)備及工藝方法。、碳化硅材料作為?“第三代半導(dǎo)體”典型材料，具有擊穿場強(qiáng)高、飽和漂移速度高、熱導(dǎo)率高、禁帶寬度大及抗輻射能力強(qiáng)等特性，在制造高頻、高壓和耐高溫電力電子器件領(lǐng)域具有更廣闊的應(yīng)用前景。當(dāng)前，在sic芯片的制備過程中，需通過高溫...

本發(fā)明涉及線路板制作工藝，尤其涉及一種局部鍍厚金加浸錫表面的加工方法。、隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，印制電路板作為電子設(shè)備的基礎(chǔ)部件，其質(zhì)量與性能要求越來越高。傳統(tǒng)的單一表面處理工藝已無法滿足現(xiàn)代電路板多種表面工藝結(jié)合的設(shè)計需求。當(dāng)印制電路板表面設(shè)計為局部鍍厚金加浸錫表面工藝時，現(xiàn)有技術(shù)多采用...

本發(fā)明涉及光伏領(lǐng)域，具體為一種光電材料制備裝置。、太陽能制絨是太陽能電池制造中的核心工藝，通過在硅片表面構(gòu)建微觀結(jié)構(gòu)以增強(qiáng)光吸收能力，從而提升電池的光電轉(zhuǎn)換效率。以太陽能板多用的單晶硅為例，以?naoh?或koh?為腐蝕劑，添加異丙醇（ipa）或表面活性劑調(diào)控反應(yīng)。典型配方為?.%?wt?...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法及半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。、在屏蔽柵晶體管(sgt)的制造流程中,為了實(shí)現(xiàn)屏蔽柵與控制柵之間的電學(xué)隔離,通常需要在二者之間填充介質(zhì)材料,形成多晶硅間氧化層(inter-poly?oxide,ipo)。高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(hdp-cvd)技...

本說明書大體涉及控制和改善在沉積腔室中制造的材料的質(zhì)量。更特定地，本說明書涉及在不中斷沉積腔室中發(fā)生的制造工藝的情況下執(zhí)行的沉積腔室中微粒物的實(shí)時檢測。、現(xiàn)代材料的制造通常涉及各種沉積技術(shù)，諸如化學(xué)氣相沉積(cvd)或物理氣相沉積(pvd)技術(shù)，其中一種或多種選定類型的原子沉積在保持在由真...

本發(fā)明涉及鈣鈦礦電池，尤其涉及一種貫穿大晶粒的鈣鈦礦光吸收層及其制備與應(yīng)用。、近年來，鈣鈦礦太陽電池（pscs）憑借其廉價的制備成本，可調(diào)節(jié)的能帶結(jié)構(gòu)以及可應(yīng)用于柔性/疊層太陽電池等優(yōu)勢從眾多新型結(jié)構(gòu)太陽電池中脫穎而出，其光電轉(zhuǎn)換效率（pce）和穩(wěn)定性的飛速提升。、目前，基于溶液法獲得的鈣...

本發(fā)明涉及傳感器信號調(diào)理，具體涉及一種包含解調(diào)功能的閉環(huán)追蹤系統(tǒng)及其方法。、旋轉(zhuǎn)變壓器是一種把軸角信息轉(zhuǎn)換成模擬信號的電磁感應(yīng)式角度傳感器，伺服控制系統(tǒng)中正余弦旋變應(yīng)用最廣泛，其角位置和角速度同等重要。常規(guī)方法首先對包含位置信息的調(diào)制信號解調(diào)為正余弦信號，然后對正余弦信號采用反正切算法完成...

本發(fā)明涉及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，提供了iot模組電路一體化防震固定組件。、隨著物聯(lián)網(wǎng)（iot）技術(shù)的快速發(fā)展，iot模組已廣泛應(yīng)用于智能穿戴、工業(yè)監(jiān)控、車載電子、智能家居等領(lǐng)域。此類模組通常集成了傳感器、通信芯片及微型處理器，其核心部件印刷電路板（pcb）上密集排布著精密電子元件和焊點(diǎn)。在實(shí)際應(yīng)用中...

本申請涉及離子注入剝離，尤其涉及一種離子注入剝離方法、裝置、系統(tǒng)及存儲介質(zhì)。、隨著g通信、無人駕駛、云計算等新興技術(shù)的發(fā)展，芯片集成度和信息處理能力的需求持續(xù)提升。然而，傳統(tǒng)硅基器件已接近尺寸極限，后摩爾時代的微電子技術(shù)轉(zhuǎn)向新結(jié)構(gòu)、新材料及異質(zhì)集成方向。其中，離子束剝離技術(shù)因可實(shí)現(xiàn)單晶薄膜...