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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、晶圓。、隨著通信技術(shù)的發(fā)展，射頻器件得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。相關(guān)技術(shù)中，射頻器件通常包括功率放大器(比如射頻放大器、毫米波功率放大器等)、低噪聲放大器(low?noiseamplifier，lna)等多個(gè)器件組合構(gòu)成。、硅基氮化鎵(gan...

本發(fā)明實(shí)施例涉及電路，尤其涉及一種占空比校準(zhǔn)電路、占空比校準(zhǔn)方法和時(shí)鐘倍頻電路。、在無(wú)線通信領(lǐng)域，廣泛使用基于鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)的頻率綜合器來(lái)產(chǎn)生振蕩信號(hào)，其中，振蕩信號(hào)的相位噪聲性能直接影響通信信號(hào)的質(zhì)量。、當(dāng)前，主要是通過(guò)時(shí)鐘倍頻技術(shù)提高鎖相環(huán)參考時(shí)鐘信號(hào)的頻率，從而提升鎖相環(huán)的相位噪聲性能。...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種晶圓測(cè)溫系統(tǒng)及其封裝方法。、精確控溫在集成電路制造過(guò)程中是非常重要的，例如，在蝕刻工藝中，晶圓片上溫度的輕微偏離，或者腔體內(nèi)溫度不均勻(高于％)都可能影響晶圓的性能，進(jìn)而影響芯片的良率。、通常會(huì)將溫度傳感裝置與晶圓片集成得到無(wú)線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)(on?wafe...

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。、隨著半導(dǎo)體集成電路(integrated?circuit，ic)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)在摩爾定律的驅(qū)動(dòng)下持續(xù)地朝更小的工藝節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，使得集成電路朝著體積更小、電路精度更高、電路復(fù)雜度更高的方向發(fā)展。、為了更好的適應(yīng)器...

本公開實(shí)施例涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。、作為一種新興的非易失性存儲(chǔ)器，相變存儲(chǔ)器(phase-change?random?accessmemory，pcram)在讀寫速度、讀寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時(shí)間、單元面積等諸多方面都具有較大的優(yōu)越性，已經(jīng)成為目前存儲(chǔ)技術(shù)研究的焦點(diǎn)。、...

本發(fā)明涉及安裝的，尤其涉及一種提升設(shè)備穩(wěn)定性的安裝裝置。、由于保護(hù)屏柜內(nèi)的設(shè)備是屬于易發(fā)熱的，在長(zhǎng)時(shí)間的運(yùn)作下，會(huì)導(dǎo)致設(shè)備運(yùn)行溫度升高，外加保護(hù)屏柜的封閉性不能及時(shí)散去熱量，造成保護(hù)設(shè)備的性能下降，甚至死機(jī)、功能失效，失去對(duì)電力設(shè)備的有效保護(hù)，存在很大的人身隱患、電網(wǎng)隱患、設(shè)備隱患，且現(xiàn)有...

本發(fā)明涉及發(fā)光材料，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光組合物及其應(yīng)用。、年，來(lái)自美國(guó)伊士曼柯達(dá)公司的tang等首次報(bào)道了由雙層有機(jī)薄膜制成的綠色電致發(fā)光器件，器件以氧化銦錫(ito)作為陽(yáng)極，在陽(yáng)極上蒸鍍一層厚度為nm的非晶無(wú)針孔芳族二胺薄膜，用作空穴傳輸，接著在芳族二胺的薄膜上再鍍一層厚度為nm的...

本發(fā)明涉及家電控制板加工，具體為一種家電控制板加工裝置及其方法。、電路板是一種用于支持和連接電子組件的底板，它是一種帶有導(dǎo)電軌跡和孔洞的平板，用于連接電子元件并提供電氣連接，電路板通常由絕緣材料制成，電路板廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、家電、通信設(shè)備、工業(yè)儀器等，它是電子產(chǎn)...

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置。、以往，作為二極管的陰極區(qū)，已知n型和p型的區(qū)域混合存在而得的結(jié)構(gòu)（例如，參照專利文獻(xiàn)和）。、專利文獻(xiàn)：國(guó)際公開第/號(hào)、專利文獻(xiàn)：日本專利第號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、技術(shù)問題、在半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選以具有預(yù)定的特性的方式配置n型和p型的陰極區(qū)。、技術(shù)方案、為了解決上述課題...

本發(fā)明涉及一種光檢測(cè)裝置。、具有如下結(jié)構(gòu)的攝像裝置是已知的：在光入射方向上堆疊光電二極管和存儲(chǔ)器，并且在光電二極管和存儲(chǔ)器之間布置有遮光膜（例如，參見專利文獻(xiàn)）。、引用文獻(xiàn)列表、專利文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)：wo?/技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、技術(shù)問題、在這種類型的攝像裝置或光檢測(cè)裝置中，需要進(jìn)一步提高性能。、本...

、集成電路（ic）管芯可以采用焊料附接技術(shù)組裝，其中，使焊料特征接觸以將管芯鍵合到主體襯底或基底襯底。然而，焊料組裝技術(shù)難以按比例縮放到低于幾十微米（例如，-μm）的焊料鍵合特征間距。、替代地，ic管芯可以采用混合鍵合技術(shù)組裝，其中，ic管芯的金屬鍵合位點(diǎn)與主體或基底襯底的對(duì)應(yīng)金屬鍵合位點(diǎn)...

本公開涉及部件安裝裝置等。、在專利文獻(xiàn)中，公開了如下部件安裝裝置：準(zhǔn)確地判斷帶式供給器中的先行帶向后續(xù)帶的切換的前后的部件的同一性，即使在帶的切換之后也能夠確保部件的安裝品質(zhì)。、在先技術(shù)文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)：日本特開-號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、-發(fā)明要解決的課題-、在上述專利文獻(xiàn)所記載那樣的...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置以及其制造方法。、作為使半導(dǎo)體裝置的上表面?zhèn)绕教够覍⑸媳砻骐姌O與半導(dǎo)體層經(jīng)由接觸孔而連接的技術(shù)，有使用接觸插頭的技術(shù)。、例如，在專利文獻(xiàn)的圖以及圖中記載有如下技術(shù)：在設(shè)于半導(dǎo)體基板（半導(dǎo)體層）之上的層間絕緣膜上通過(guò)光刻法以及刻蝕形成接觸孔，然后在接觸孔的內(nèi)外形成勢(shì)壘金...

本發(fā)明涉及便攜智能穿戴設(shè)備領(lǐng)域，特別涉及低功耗珠寶背光系統(tǒng)。、隨著智能穿戴設(shè)備的普及，集成生理監(jiān)測(cè)功能的珠寶飾品逐漸成為市場(chǎng)新趨勢(shì)。然而，現(xiàn)有技術(shù)方案在實(shí)現(xiàn)多功能集成與超低功耗運(yùn)行的核心需求上存在顯著缺陷，具體表現(xiàn)為以下關(guān)鍵問題：、單核架構(gòu)的功耗與性能矛盾。傳統(tǒng)設(shè)備多采用單一微控制器（mc...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體檢測(cè)，尤其涉及一種工藝終點(diǎn)的檢測(cè)方法及半導(dǎo)體設(shè)備。、在半導(dǎo)體先進(jìn)制造中，工藝終點(diǎn)的精確判定是控制芯片性能、良率及產(chǎn)能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。例如，在等離子體刻蝕工藝中，精確判斷刻蝕終點(diǎn)以停止反應(yīng)，是防止過(guò)刻蝕損壞下層材料或關(guān)鍵尺寸偏離的根本保證；在腔室清潔工藝中，準(zhǔn)確判定清潔終點(diǎn)，則能...

本發(fā)明屬于緩沖器電路，具體涉及一種面向模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸入緩沖器及其前饋采樣控制方法。、模數(shù)轉(zhuǎn)換器（adc）的輸入緩沖器在現(xiàn)代信號(hào)采集與處理系統(tǒng)中承擔(dān)著核心職能，尤其在與采樣保持器（sample-and-hold，s/h）配合使用的體系結(jié)構(gòu)中表現(xiàn)突出。輸入緩沖器的首要任務(wù)是將adc的輸入端與信...

本發(fā)明屬于太陽(yáng)電池制造領(lǐng)域，具體涉及一種低翹曲度的薄膜太陽(yáng)電池制作方法。、當(dāng)前主流薄膜太陽(yáng)電池的外延結(jié)構(gòu)為gainp/gaas/ingaas，在薄膜太陽(yáng)電池的制備過(guò)程中，外延生長(zhǎng)階段會(huì)因晶格不匹配及缺陷產(chǎn)生本征應(yīng)力；芯片制備階段需在外延生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)或鍵合薄膜支撐襯底，后續(xù)為形成良好的歐姆...

本發(fā)明屬于原子及近原子尺度極端制造領(lǐng)域，尤其涉及一種空氣環(huán)境下逐原子層刻蝕半導(dǎo)體的裝置及刻蝕方法。、隨著半導(dǎo)體器件向高性能和極小型化邁進(jìn)，表面形貌的高完整性和精度控制對(duì)于器件功能變得越來(lái)越重要。在原子尺度上，半導(dǎo)體材料表面呈現(xiàn)出明顯的周期性臺(tái)階形貌，源于固有的晶體生長(zhǎng)機(jī)制和切割取向。這些原...

本發(fā)明涉及核醫(yī)學(xué)，特別是涉及一種束流調(diào)控裝置。、不論是基于強(qiáng)流超導(dǎo)直線加速器和高功率靶的同位素研發(fā)裝置，還是加速器驅(qū)動(dòng)嬗變研究裝置（簡(jiǎn)稱ciads），對(duì)于其中的強(qiáng)流超導(dǎo)直線加速器而言，實(shí)現(xiàn)束流強(qiáng)度在線連續(xù)可調(diào)、束流純化及束暈抑制是保障超導(dǎo)直線加速器穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。、傳統(tǒng)上，束流調(diào)試通常依賴...

本申請(qǐng)涉及太陽(yáng)能電池的制造，特別是涉及一種太陽(yáng)能電池及其制造方法、疊層電池和光伏組件。、太陽(yáng)能作為一種新興能源，與傳統(tǒng)的化石燃料相比，具有取之不盡用之不竭、清潔環(huán)保等各方面的優(yōu)勢(shì)。目前主要的一種太陽(yáng)能利用方式是通過(guò)太陽(yáng)能電池組件將接收的光能轉(zhuǎn)化為電能輸出，其可以是由若干太陽(yáng)能電池（或稱光伏...