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本發(fā)明涉及l(fā)ed封裝，具體地，涉及一種led封裝結(jié)構(gòu)及其制作工藝。、隨著led行業(yè)的持續(xù)發(fā)展，其制造工藝已逐步走向成熟，在照明、顯示等多個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。目前，主流的led白光實現(xiàn)技術(shù)，是利用紅色熒光粉、綠色熒光粉與黃色熒光粉，吸收藍光芯片發(fā)出的藍光，再通過熒光粉激發(fā)光與剩余藍光的復(fù)合，...

本發(fā)明涉及顯示，具體而言，涉及一種顯示面板及顯示裝置。、通過在封裝層(coe，color?on?encapsulation)上形成彩膜層，去除了偏光片，使得顯示面板變得更薄，透光率增加，從而降低了功耗。、環(huán)境光的反射光在透光開口的邊緣會發(fā)生衍射，由于不同顏色的光的波長不同，不同顏色的光會產(chǎn)...

本發(fā)明涉及晶圓擴晶，特別涉及一種自動擴晶結(jié)構(gòu)。、在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓擴晶是晶圓切割后的一項關(guān)鍵工藝，其主要目的是通過均勻拉伸晶圓上的藍膜，將切割后的芯片分離開來，以便于后續(xù)的拾取、封裝和測試工序。傳統(tǒng)的晶圓擴晶設(shè)備多以手動或半自動操作為主，存在諸多不足。首先，手動上料和定位操作依賴操作人...

本申請涉及電力電子元器件，具體而言，涉及一種硅電容及其制備方法。、隨著集成電路技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，芯片的工作頻率和開關(guān)速度不斷提高，導(dǎo)致電源噪聲的頻譜范圍顯著擴展，尤其在高頻段產(chǎn)生的瞬態(tài)電流對電源穩(wěn)定性提出了更高要求。在多芯片三維立體集成架構(gòu)中，盡管該技術(shù)通過縮短互連距離、提高集成密度有效提升...

本申請涉及微電子器件，具體涉及一種基于有機-二維雜化結(jié)構(gòu)的mxene-btcn憶阻器及其制備方法、數(shù)據(jù)存儲結(jié)構(gòu)。、憶阻器因其結(jié)構(gòu)簡單和優(yōu)異的電學(xué)特性，在實現(xiàn)高密度數(shù)據(jù)存儲、快速讀寫和低功耗運行方面具有巨大潛力。作為一種新型非易失性器件，憶阻器不僅能夠?qū)崿F(xiàn)信息存儲，還能兼具邏輯運算功能，非常...

本申請涉及集成電路，尤其涉及一種鎖相環(huán)穩(wěn)定鎖相控制裝置、鎖相環(huán)電路及控制方法。、鎖相環(huán)（pll，phase-locked?loop）電路作為一種廣泛應(yīng)用于通信、時鐘生成，以及信號處理的關(guān)鍵電路，其核心功能是通過反饋控制實現(xiàn)輸出信號與參考信號的頻率、相位同步。在鎖相環(huán)的各個模塊中，電荷泵（c...

本發(fā)明涉及有機電化學(xué)晶體管，尤其涉及離子協(xié)同摻雜增強型碳基有機電化學(xué)晶體管的構(gòu)筑方法。、離子協(xié)同摻雜增強型碳基有機電化學(xué)晶體管是一類通過碳基材料結(jié)構(gòu)設(shè)計與多離子/多原子協(xié)同摻雜策略結(jié)合，實現(xiàn)離子-電子耦合效率優(yōu)化、器件性能全面提升的新型生物電子器件，離子協(xié)同摻雜是指通過兩種或多種離子/原子...

本申請涉及貼片，尤其涉及一種貼片設(shè)備、系統(tǒng)及方法。、貼片設(shè)備用于將集成電子元器件貼裝到基板上，貼片設(shè)備中一般設(shè)置有輸送結(jié)構(gòu)，以完成貼片設(shè)備中基板的上下料。例如，led（light?emitting?diode，發(fā)光二極管光源）顯示屏是通過貼片設(shè)備將led燈珠散料貼裝pcb板上形成。當然，顯...

、迄今，已經(jīng)典型地利用硅(si)半導(dǎo)體材料制備了在功率電子應(yīng)用中使用的晶體管。用于功率應(yīng)用的常見的晶體管器件包括si?coolmos?、si功率mosfet和si絕緣柵雙極晶體管(igbt)。諸如氮化鎵(gan)器件的基于iii族氮化物的半導(dǎo)體器件現(xiàn)在正作為用以承載大電流、支持高電壓以及提...

本申請屬于液晶顯示模組制造，具體涉及一種雙層ito?film觸摸屏功能片的綁定結(jié)構(gòu)及綁定方法。、隨著觸摸屏技術(shù)的普及，市場對觸摸屏的性能和制造效率提出了更高要求。觸摸屏功能片通常由單層或雙層ito?film膜與光學(xué)透明膠（oca）層壓組合而成。其中，雙層itofilm膜結(jié)構(gòu)（通常形成x軸和...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料，特別是涉及一種氧化鎵半導(dǎo)體元件、電子器件。、氧化鎵是一種具有超寬禁帶（.ev~.ev）、高擊穿場強（理論值約mv/cm）和高baliga優(yōu)值（baliga’s?figure?of?merit,?bfom,?理論值超）的新型半導(dǎo)體材料，能夠同時實現(xiàn)高擊穿電壓與低導(dǎo)通損耗...

本發(fā)明屬于核聚變能源，具體涉及一種用于磁約束等離子體的多模態(tài)磁場智能閉環(huán)約束系統(tǒng)及方法，適用于核聚變實驗裝置、等離子體加工設(shè)備等需要長時穩(wěn)定約束等離子體的場景。、在核聚變實驗、等離子體加工等領(lǐng)域，等離子體約束是核心技術(shù)環(huán)節(jié)，其性能直接決定實驗成功率與工業(yè)應(yīng)用效果。當前主流約束系統(tǒng)多采用單模...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工設(shè)備，尤其涉及一種半導(dǎo)體芯片加工用貼片裝置。、芯片是集成電路的一種封裝形式；生產(chǎn)過程中，通過將芯片與基板進行焊接固定能夠?qū)⑿酒碗娐钒寮稍谝黄穑M而實現(xiàn)復(fù)雜的電路功能。、專利授權(quán)號為cnb的中國發(fā)明專利公開了一種半導(dǎo)體芯片封裝貼片機，其通過由送料單元對基板進行放置送料...

本申請涉及鋰電池，尤其涉及一種基材結(jié)構(gòu)及電池保護板。、鋰離子電池因其高能量密度、長循環(huán)壽命及輕量化特性，已廣泛應(yīng)用于消費電子、新能源汽車及儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域。作為鋰離子電池系統(tǒng)的核心保護部件，電池保護板通過集成過充、過放及短路保護電路，保障電池的安全穩(wěn)定運行。、相關(guān)技術(shù)中，采用fr玻纖環(huán)氧樹脂...

本發(fā)明涉及smt貼片，尤其涉及一種表面貼裝元器件的高度缺陷識別方法及系統(tǒng)。、表面貼裝技術(shù)(surface?mount?technology,smt)是現(xiàn)代電子制造的核心工藝，通過將表面貼裝元器件直接貼裝并焊接至印刷電路板表面，實現(xiàn)電子組件的高密度集成與小型化。在smt生產(chǎn)流程中，元器件的貼...

本公開涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法。、相變存儲器（phase-change?memory，pcm）作為一種新興的非易失性存儲器件，在讀寫速度、讀寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時間、單元面積、多值實現(xiàn)等諸多方面均具備較大的優(yōu)越性。然而，隨著相變存儲器集成密度的提高，需要進一步優(yōu)化相變存儲器...

本申請實施例涉及燈光調(diào)控，特別是涉及一種船舶艙室的照明控制系統(tǒng)和方法。、隨著科技的進步，發(fā)光二極管（light?emitting?diode，led）照明技術(shù)在船舶領(lǐng)域得到了越來越廣泛的應(yīng)用。led燈具具有節(jié)能、壽命長、發(fā)光效率高、響應(yīng)速度快、抗震性強等顯著優(yōu)勢。但是，目前船舶的照明控制功...

本申請的實施例涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法。、半導(dǎo)體集成電路(ic)工業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)級增長。ic材料和設(shè)計中的技術(shù)進步已經(jīng)產(chǎn)生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更復(fù)雜的電路。在ic發(fā)展的過程中，功能密度(即，每芯片面積的互連器件的數(shù)量)普遍增加，而幾何尺寸(即，可以使用制造工藝產(chǎn)生的最...

本發(fā)明涉及一種鈣鈦礦太陽能電池的制備方法及鈣鈦礦太陽能電池。、針對大尺寸的鈣鈦礦太陽能電池而言，高質(zhì)量的鈣鈦礦膜層有助于提升電池性能，能夠使鈣鈦礦太陽能電池在市場上具有較強的競爭力。目前，制備大尺寸的鈣鈦礦太陽能電池主要采用濕法涂布方式。其中，所涉及的濕法涂布方式主要有狹縫涂布、噴墨打印以...

本發(fā)明涉及雪崩探測器，特別是一種鎵酸鎂雪崩探測器及其制備方法。、全固態(tài)日盲紫外光電探測器（sbpd）在導(dǎo)彈預(yù)警、空間保密通信和電暈檢測等領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用前景。雪崩倍增是實現(xiàn)弱光探測自放大的有效方法。相比商品化真空光電倍增管和硅基光電探測器，基于超寬禁帶半導(dǎo)體（＞?ev）的sbpd具有小型...