本發(fā)明涉及一種基于鎵基液態(tài)金屬基底的電化學(xué)誘導(dǎo)金屬定向生長(zhǎng)方法,屬于電化學(xué)材料。、傳統(tǒng)固態(tài)基底(如金屬箔、硅片)誘導(dǎo)金屬電化學(xué)生長(zhǎng)時(shí),因晶格失配導(dǎo)致界面應(yīng)力積累、晶體取向隨機(jī)性強(qiáng),且易產(chǎn)生枝晶缺陷。通過(guò)構(gòu)建單晶面(如cu()電沉積誘導(dǎo)zn()定向生長(zhǎng))誘導(dǎo)金屬高取向度定向生長(zhǎng)技術(shù)雖然可以降...