本發(fā)明涉及線路板，尤其涉及一種雙面半嵌入式封裝基板及其加工方法。
背景技術(shù)：
1、隨著半導(dǎo)體集成電路集成密度的不斷增加，封裝技術(shù)及封裝基板的挑戰(zhàn)也越來越高。對(duì)于封裝基板而言，除了不斷提高水平和垂直方向上的密度，異構(gòu)集成也是非常具有研究意義的領(lǐng)域，包括全嵌入式封裝、單面半嵌入式封裝、雙面半嵌入式封裝技術(shù)等。
2、傳統(tǒng)的半嵌入式封裝基板的加工方法為：提供三張基板，分別為用作為蓋子的第一基板71、帶有腔體的第二基板72和帶有線路圖形的第三基板73；先通過鉚合工藝將上述三張基板鉚合成一個(gè)具有內(nèi)埋空腔結(jié)構(gòu)的中間板子，可參閱附圖1所示；接著對(duì)所述中間板子完成外層線路制作和防焊處理后，使用激光揭蓋工藝即可制得半嵌入式封裝基板，可參閱附圖2所示。然而，上述半嵌入式封裝基板的傳統(tǒng)加工方法在實(shí)際應(yīng)用時(shí)具有以下不足之處：①鉚合精度較差；②因要加工出具有內(nèi)埋空腔結(jié)構(gòu)的中間板子，為防止加工過程中空腔結(jié)構(gòu)的上方凹陷，所述第一基板無法進(jìn)一步薄化，從而導(dǎo)致產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)受限；③內(nèi)埋空腔結(jié)構(gòu)在加工過程中受熱容易產(chǎn)生分層不良；④激光揭蓋時(shí)容易損傷絕緣介質(zhì)，從而會(huì)造成外觀異常，甚至?xí)?duì)產(chǎn)品的可靠性帶來風(fēng)險(xiǎn)。
3、有鑒于此，特提出本發(fā)明。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了克服上述缺陷，本發(fā)明提供了一種雙面半嵌入式封裝基板及其加工方法，該加工方法簡(jiǎn)潔、合理、加工成本低、加工效率高，所得雙面半嵌入式封裝基板的可靠性非常高。
2、本發(fā)明為了解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種雙面半嵌入式封裝基板的加工方法，包括：
3、提供由多層銅箔層和多層絕緣層交替設(shè)置構(gòu)成的多層基板，對(duì)所述多層基板依次交替進(jìn)行n次雙面線路制作和n-1次雙面增層作業(yè)后，制得具有兩組對(duì)稱的線路結(jié)構(gòu)的作業(yè)板；其中，n≥3，每組所述線路結(jié)構(gòu)各設(shè)有一層外層線路層和n-1層位于所述外層線路層內(nèi)側(cè)的內(nèi)層線路層，所述外層線路層和n-1層所述內(nèi)層線路層相互連通，且位于最內(nèi)層的一所述內(nèi)層線路層上設(shè)有焊盤；
4、對(duì)所述作業(yè)板進(jìn)行激光燒槽作業(yè)，以在每組所述線路結(jié)構(gòu)上各加工出開口于所述外層線路層、并以與位于最內(nèi)層的一所述內(nèi)層線路層相鄰接的另一所述內(nèi)層線路層的局部為槽底的盲槽；
5、去除所述盲槽底部上的銅箔；
6、將每組所述線路結(jié)構(gòu)中的所述焊盤完全暴露在與其對(duì)應(yīng)的所述盲槽中，然后將兩組所述線路結(jié)構(gòu)上的所述盲槽貫通，得到用以透光透氣或者供元器件安裝用的通槽結(jié)構(gòu)；
7、清潔所述焊盤表面，即得到該雙面半嵌入式封裝基板。
8、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述雙面線路制作采用減成法工藝或msap工藝；其中，所述減成法工藝包括依次進(jìn)行的覆膜前處理、覆抗蝕感光膜、曝光、顯影、蝕刻和退膜加工工序；所述msap工藝包括依次進(jìn)行的覆膜前處理、覆抗鍍感光膜、曝光、顯影、圖形電鍍、退膜、烘烤和閃蝕加工工序。
9、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，當(dāng)采用所述減成法工藝來制作任一非最內(nèi)層的所述內(nèi)層線路層及所述外層線路層時(shí)，所述減成法工藝還包括布置于所述覆膜前處理之前的整板電鍍工序；
10、而當(dāng)采用所述msap工藝來制作任一非最內(nèi)層的所述內(nèi)層線路層及所述外層線路層時(shí)，所述msap工藝還包括布置于所述覆膜前處理之前的除膠沉銅工序。
11、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述雙面增層作業(yè)采用層壓增層工藝；經(jīng)所述雙面增層作業(yè)制得的增層結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的絕緣增層和銅箔增層，所述絕緣增層采用純膠或半固化片。
12、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，對(duì)所述作業(yè)板進(jìn)行外層防焊作業(yè)后，再進(jìn)行激光燒槽作業(yè)。
13、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述激光燒槽作業(yè)的加工參數(shù)為：掩膜厚度為1.8～2.1mm，鐳射脈寬為5～8μs，鐳射能量為3.2～8.5mj，鐳射發(fā)數(shù)為2～8發(fā)；
14、另外，每組所述線路結(jié)構(gòu)上各加工出一個(gè)及以上的所述盲槽，且位于兩組所述線路結(jié)構(gòu)上的所述盲槽呈一一相對(duì)設(shè)置。
15、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，采用蝕刻工藝將所述盲槽底部上的銅箔去除。
16、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，采用uv皮秒激光器對(duì)去銅后的所述盲槽底部進(jìn)行鐳射開窗、以暴露出所述焊盤，且所述uv皮秒激光器的加工參數(shù)為：輸出功率為4.5～10.5w，重復(fù)頻率為1000～2500hz，激光掃描速度為1000～2000mm/s，掃描次數(shù)為2～5次；
17、同樣采用uv皮秒激光器將去銅后的并呈相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)所述盲槽打通，屆時(shí)所述uv皮秒激光器的加工參數(shù)為：輸出功率為4.5～10.5w，重復(fù)頻率為800～2000hz，激光掃描速度為600～1800mm/s，掃描次數(shù)為3～15次。
18、作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，利用等離子體清潔工藝對(duì)所述焊盤表面進(jìn)行清潔，且所述等離子體清潔工藝的加工參數(shù)為：清潔氣體采用由氮?dú)夂脱鯕饨M成的混合氣體，氮?dú)獾牧髁繛?00～500sccm，氧氣的流量為800～2000sccm；放電功率為6～10kw，清潔溫度為60～90℃。
19、本發(fā)明還提供了一種雙面半嵌入式封裝基板，其采用如本發(fā)明所述的雙面半嵌入式封裝基板的加工方法制作而成。
20、本發(fā)明的有益效果是：相較于傳統(tǒng)技術(shù)，本發(fā)明提供的雙面半嵌入式封裝基板的加工方法具有以下優(yōu)點(diǎn)：①層間精度高，有效避免了傳統(tǒng)鉚合工藝帶來的精度缺陷；②產(chǎn)品厚度設(shè)計(jì)靈活，并可根據(jù)產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求來靈活的設(shè)計(jì)盲槽深度；③整個(gè)加工過程中未出現(xiàn)內(nèi)埋式空腔結(jié)構(gòu)，從而極大的降低了分層風(fēng)險(xiǎn)；④該加工方法簡(jiǎn)單、合理、加工成本低、加工效率高，所得雙面半嵌入式封裝基板的可靠性非常高。
1.一種雙面半嵌入式封裝基板的加工方法，其特征在于：包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面半嵌入式封裝基板的加工方法，其特征在于：所述雙面線路制作采用減成法工藝或msap工藝；其中，所述減成法工藝包括依次進(jìn)行的覆膜前處理、覆抗蝕感光膜、曝光、顯影、蝕刻和退膜加工工序；所述msap工藝包括依次進(jìn)行的覆膜前處理、覆抗鍍感光膜、曝光、顯影、圖形電鍍、退膜、烘烤和閃蝕加工工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙面半嵌入式封裝基板的加工方法，其特征在于：當(dāng)采用所述減成法工藝來制作任一非最內(nèi)層的所述內(nèi)層線路層(21)及所述外層線路層(20)時(shí)，所述減成法工藝還包括布置于所述覆膜前處理之前的整板電鍍工序；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面半嵌入式封裝基板的加工方法，其特征在于：所述雙面增層作業(yè)采用層壓增層工藝；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面半嵌入式封裝基板的加工方法，其特征在于：對(duì)所述作業(yè)板(2)進(jìn)行外層防焊作業(yè)后，再進(jìn)行激光燒槽作業(yè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面半嵌入式封裝基板的加工方法，其特征在于：所述激光燒槽作業(yè)的加工參數(shù)為：掩膜厚度為1.8～2.1mm，鐳射脈寬為5～8μs，鐳射能量為3.2～8.5mj，鐳射發(fā)數(shù)為2～8發(fā)；
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面半嵌入式封裝基板的加工方法，其特征在于：采用蝕刻工藝將所述盲槽(3)底部上的銅箔去除。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙面半嵌入式封裝基板的加工方法，其特征在于：采用uv皮秒激光器對(duì)去銅后的所述盲槽(3)底部進(jìn)行鐳射開窗、以暴露出所述焊盤(210)，且所述uv皮秒激光器的加工參數(shù)為：輸出功率為4.5～10.5w，重復(fù)頻率為1000～2500hz，激光掃描速度為1000～2000mm/s，掃描次數(shù)為2～5次；
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面半嵌入式封裝基板的加工方法，其特征在于：利用等離子體清潔工藝對(duì)所述焊盤(210)表面進(jìn)行清潔，且所述等離子體清潔工藝的加工參數(shù)為：清潔氣體采用由氮?dú)夂脱鯕饨M成的混合氣體，氮?dú)獾牧髁繛?00～500sccm，氧氣的流量為800～2000sccm；放電功率為6～10kw，清潔溫度為60～90℃。
10.一種雙面半嵌入式封裝基板，其特征在于：采用如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的雙面半嵌入式封裝基板的加工方法制作而成。