本發(fā)明屬于鹵化銅基發(fā)光材料,尤其涉及一種新型鹵化銅基發(fā)光材料及其制備方法、應(yīng)用。
背景技術(shù):
1、鹵化銅基發(fā)光材料,如鹵化銫銅、鹵化銣銅、鹵化銨銅等材料,能夠同時滿足無毒和高發(fā)光效率的優(yōu)勢,同時兼具極好的在干燥空氣中穩(wěn)定性,正在受到越來越多的關(guān)注和研究。然而,其離子晶體的特性使得其難以在水中或高濕度環(huán)境下保持其晶體結(jié)構(gòu)完整性,易被高極性的水分子破壞晶格造成發(fā)光淬滅,且該過程不可逆。
2、此外,鹵化銅基發(fā)光材料普遍具備超過3.5電子伏特的大禁帶寬度,需要使用深紫外(波長小于350納米)波段的光來激發(fā),對激發(fā)光要求較為苛刻。若能開發(fā)高水穩(wěn)定性、更窄禁帶寬度(小于3.1電子伏特)的鹵化銅基發(fā)光材料,則能夠在高濕度環(huán)境甚至水中工作,并可使用近紫外甚至紫光波段的激發(fā)光激發(fā),從而克服上述問題,在應(yīng)用方面更具優(yōu)勢。材料組分上的創(chuàng)新可以同時調(diào)控此類材料的晶格穩(wěn)定性和禁帶寬度,是實現(xiàn)高水穩(wěn)定性、窄禁帶寬度等目標(biāo)的關(guān)鍵,當(dāng)下亟需改進。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明提出基于一種新型鹵化銅基發(fā)光材料及其制備方法、應(yīng)用。通過材料組分上的創(chuàng)新可以同時調(diào)控鹵化銅基發(fā)光材料的晶格穩(wěn)定性和禁帶寬度,以實現(xiàn)高水穩(wěn)定性、窄禁帶寬度等目標(biāo)。
2、為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
3、一種新型鹵化銅基發(fā)光材料,所述鹵化銅基發(fā)光材料的化學(xué)式為:[單官能團-dabco]2cu4x6;
4、其中:x為cl、br或i中的至少一種;
5、單官能團包括甲基、乙基、丙基、丁基、氨基、羧基、羥基、酯基、酰胺基、氰基、硝基、磺酸基中的至少一種;
6、所述鹵化銅基發(fā)光材料可被近紫外光、紫光或藍(lán)光所激發(fā)。
7、進一步的,所述近紫外光、紫光或藍(lán)光的波段集合為360nm-480nm。
8、進一步的,所述鹵化銅基發(fā)光材料在水中浸泡不發(fā)生熒光淬滅,且所述鹵化銅基發(fā)光材料在水中的發(fā)光強度至少保持為空氣中的發(fā)光強度的65%。
9、一種新型鹵化銅基發(fā)光材料的制備方法,采用液相反應(yīng)制備,包括如下步驟:
10、s1、提供一種單官能團化的1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷鹵化銨鹽,作為有機陽離子源粉末;
11、提供碘化亞銅、溴化亞銅、氯化亞銅中的一種或多種,作為銅源粉末;
12、提供一種極性反應(yīng)溶劑,所述極性反應(yīng)溶劑包括水、二甲基亞砜(dmso)、n,n-二甲基甲酰胺(dmf)、n-甲基吡咯烷酮(nmp)、γ-丁內(nèi)酯、四氫呋喃(thf)、乙酸乙酯、乙酸甲酯、甲醇、乙醇、異丙醇中的一種或多種;
13、s2、將有機陽離子源粉末和銅源粉末進行混合,然后加入極性反應(yīng)溶劑,在惰性氣氛中攪拌后得到懸濁液;攪拌過程可伴隨加熱;
14、作為優(yōu)選示例:在氮氣氣氛的手套箱中,將有機陽離子源和銅源以1比2的摩爾比混合,加入其5倍質(zhì)量的dmf溶劑,在60℃下攪拌24小時,得到懸濁液。
15、s3、將步驟s2的懸濁液進行離心,得到沉淀物,對沉淀物進行烘干后即得到鹵化銅基發(fā)光材料粉末。
16、作為優(yōu)選示例:以3000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速將懸濁液離心操作3分鐘,去除上清液后得到沉淀,將沉淀置于60℃烘箱中烘干得到水穩(wěn)定的鹵化銅基發(fā)光材料粉末。上述離心轉(zhuǎn)速、離心時間、烘干溫度均為本領(lǐng)域技術(shù)人員可通過有限次實驗可以得到的實驗參數(shù),本發(fā)明僅作為列舉說明,并不構(gòu)成參數(shù)限定。
17、通過采用上述方法:本發(fā)明所使用的單官能團化的1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷銨陽離子可以增強該發(fā)光材料晶體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性,使其在水這類強極性溶劑中能夠保持晶體結(jié)構(gòu)完整而不被破壞,因此所制備的鹵化銅基發(fā)光材料具有絕佳的水穩(wěn)定性,在水中不會發(fā)生發(fā)光淬滅;此外,其禁帶寬度較小,可被近紫外(波長大于365納米)及波長更長的激發(fā)光所激發(fā)。
18、同時,本發(fā)明針對鹵化銅基發(fā)光材料的制備方法并不局限于此,還存在其他的制備路線。例如:
19、一種新型鹵化銅基發(fā)光材料的制備方法,采用固相研磨制備,包括如下步驟:
20、s1、提供一種單官能團化的1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷鹵化銨鹽,作為有機陽離子源粉末;
21、提供碘化亞銅、溴化亞銅、氯化亞銅中的一種或多種,作為銅源粉末;
22、s2、將有機陽離子源粉末和銅源粉末進行混合,研磨后得到所述鹵化銅基發(fā)光材料粉末。
23、本發(fā)明針對鹵化銅基發(fā)光材料的制備方法并不局限于此,還存在其他的制備路線。例如:
24、一種新型鹵化銅基發(fā)光材料的制備方法,采用固相燒結(jié)制備,包括如下步驟:
25、s1、提供一種單官能團化的1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷鹵化銨鹽,作為有機陽離子源粉末;
26、提供碘化亞銅、溴化亞銅、氯化亞銅中的一種或多種,作為銅源粉末;
27、s2、將有機陽離子源粉末和銅源粉末進行混合均勻,在惰性氣體氣氛中,在100℃以上溫度下加熱至少半小時,隨后冷卻至室溫,得到鹵化銅基發(fā)光材料粉末。
28、作為優(yōu)選示例:將[甲基dabco]i和碘化亞銅以摩爾比1:2混合均勻,裝入坩堝中,置于管式爐中,在持續(xù)通入氮氣氣氛的條件下加熱至200℃保溫1小時,然后冷卻至室溫,得到所述水穩(wěn)定的鹵化銅基發(fā)光材料粉末。
29、本發(fā)明針對鹵化銅基發(fā)光材料的制備方法并不局限于此,還存在其他的制備路線。例如:
30、一種新型鹵化銅基發(fā)光材料的制備方法,所述鹵化銅基發(fā)光材料為鹵化銅基發(fā)光膠體納米晶,所述制備方法為室溫合成,包括如下步驟:
31、s1、提供一種單官能團化的1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷鹵化銨鹽,作為有機陽離子源粉末;
32、提供一種有機陽離子源溶劑,所述有機陽離子源溶劑包括水、二甲基亞砜(dmso)、n,n-二甲基甲酰胺(dmf)、n-甲基吡咯烷酮(nmp)、γ-丁內(nèi)酯、四氫呋喃(thf)、乙酸乙酯、乙酸甲酯、甲醇、乙醇、異丙醇中的一種或多種;
33、提供碘化亞銅、溴化亞銅、氯化亞銅中的一種或多種,作為銅源粉末;
34、提供一種銅源助溶劑,所述銅源助溶劑包括油胺、辛胺、磷脂酰膽堿、卵磷脂,或一種鏈長大于6個碳原子的四烷基銨氫鹵酸鹽中的至少一種;例如油胺和辛胺以1:1的體積比混合加入。
35、提供一種長鏈有機酸,作為有機酸配體,包括但不限于油酸、辛酸、次異辛基膦酸、十二烷基苯磺酸、十二烷基膦酸、十四烷基磷酸中的一種或多種;例如油酸和辛酸以1:1的體積比混合加入。
36、提供一種反應(yīng)溶劑,所述反應(yīng)溶劑包括甲苯、氯苯、二甲苯、十八烯、二氯甲烷、氯仿、己烷、辛烷中的一種或多種;例如甲苯和二甲苯以1:1的體積比混合加入。
37、s2、在室溫下,將所述有機陽離子源溶劑加入有機陽離子源中,攪拌獲得澄清的陽離子源溶液;作為進一步優(yōu)選:稱取一定質(zhì)量的[甲基dabco]i粉末,加入一定體積的dmf,在室溫下攪拌直至得到濃度為0.05mol/l的有機陽離子源溶液。
38、s3、在室溫下,將所述反應(yīng)溶劑加入銅源中,并加入所述銅源助溶劑和有機酸配體,攪拌獲得澄清的銅源溶液;作為進一步優(yōu)選:向0.05mmol的碘化亞銅中加入5ml甲苯,并加入0.5ml油酸和0.1ml油胺,在室溫下攪拌直至得到澄清的銅源溶液。
39、s4、在室溫下,將所述陽離子源溶液加入所述銅源溶液中攪拌反應(yīng),得到所述鹵化銅基發(fā)光膠體納米晶分散液。作為進一步優(yōu)選:向攪拌中的銅源溶液中迅速注入0.5ml有機陽離子源溶液。
40、s5、還包括有提純操作:將反應(yīng)原液轉(zhuǎn)移到離心管中進行低速離心,取離心后的上層清液,加入一定量的反溶劑來沉淀納米晶并進行高速離心處理;將其沉淀分散在辛烷或者甲苯中,并用0.22μm的有機系過濾頭過濾收集,得到膠體納米晶分散液??梢愿鶕?jù)需要,還可重復(fù)以上步驟,繼續(xù)向分散液加入反溶劑并高速離心,以提純到所需濃度的產(chǎn)物。
41、通過采用上述技術(shù)方案:在上述反應(yīng)中,銅源遇有機陽離子源即大量形核長大,但由于有機酸配體的存在,長大受到抑制,最終形成均勻分散于溶劑中的膠體納米晶。該膠體納米晶與上述的鹵化銅基發(fā)光材料粉末在組分相同的前提下具備一致的發(fā)光光譜,且同樣具有良好的水穩(wěn)定性,同時也可以被近紫外(波長大于365納米)或更長波長的激發(fā)光所激發(fā)。
42、進一步的,所述單官能團化的1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷鹵化銨鹽包括1-甲基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-碘化銨([甲基dabco]i)、1-甲基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-溴化銨([甲基dabco]br)、1-甲基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-氯化銨([甲基dabco]cl)、1-乙基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-碘化銨([乙基dabco]i)、1-乙基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-溴化銨([乙基dabco]br)、1-乙基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-氯化銨([乙基dabco]cl)、1-丙基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-碘化銨([丙基dabco]i)、1-丙基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-溴化銨([丙基dabco]br)、1-丙基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-氯化銨([丙基dabco]cl)、1-丁基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-碘化銨([丁基dabco]i)、1-丁基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-溴化銨([丁基dabco]br)、1-丁基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-氯化銨([丁基dabco]cl)、1-氨基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-碘化銨([氨基dabco]i)、1-氨基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-溴化銨([氨基dabco]br)、1-氨基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-氯化銨([氨基dabco]cl)中的一種或多種。例如[甲基dabco]i和[甲基dabco]cl以1:1的比例混合加入。
43、進一步的,所述單官能團化的1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷鹵化銨鹽還包括1-羧基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-鹵化銨([羧基-dabco]x,其中:x為cl、br或i中的一種)、1-羥基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-鹵化銨([羥基-dabco]x,其中:x為cl、br或i中的一種)、1-酯基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-鹵化銨([酯基-dabco]x,其中:x為cl、br或i中的一種)、1-酰胺基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-鹵化銨([酰胺基-dabco]x,其中:x為cl、br或i中的一種)、1-氰基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-鹵化銨([氰基-dabco]x,其中:x為cl、br或i中的一種)、1-硝基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-鹵化銨([硝基-dabco]x,其中:x為cl、br或i中的一種)、1-磺酸基-1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷-1-鹵化銨([磺酸基-dabco]x,其中:x為cl、br或i中的一種)中的一種或多種。
44、進一步的,所述有機陽離子源粉末和銅源粉末以1:2的摩爾比混合。
45、進一步的,鹵化亞銅包括碘化亞銅、溴化亞銅、氯化亞銅等及其不同比例的混合物,例如碘化亞銅和氯化亞銅以1:1的比例混合加入。
46、一種新型鹵化銅基發(fā)光材料的應(yīng)用,將如權(quán)利要求1-3任一所述的鹵化銅基發(fā)光材料應(yīng)用于顯示、照明以及x射線技術(shù)領(lǐng)域中的至少一種,具體包括以下形式:
47、鹵化銅基發(fā)光材料單晶、鹵化銅基發(fā)光材料薄膜、鹵化銅基發(fā)光材料膠體納米晶薄膜、x射線閃爍體膜、作為下轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管中的發(fā)光材料、作為電致發(fā)光二極管中的發(fā)光材料、作為光轉(zhuǎn)換膜或光轉(zhuǎn)換板中的發(fā)光材料中的至少一種。
48、進一步的,本發(fā)明提供上述鹵化銅基發(fā)光材料下游產(chǎn)品的制備方法進行說明:
49、一種水穩(wěn)定的鹵化銅基發(fā)光材料單晶的制備方法,包括如下步驟:
50、提供一種上述方法制備的鹵化銅基發(fā)光材料粉末;
51、提供包括但不限于水、二甲基亞砜(dmso)、n,n-二甲基甲酰胺(dmf)、n-甲基吡咯烷酮(nmp)、γ-丁內(nèi)酯、四氫呋喃(thf)、乙酸乙酯、乙酸甲酯、甲醇、乙醇、異丙醇中的一種或多種,作為溶劑;
52、將鹵化銅基發(fā)光材料粉末在加熱狀態(tài)下溶解在溶劑中,配制成飽和澄清溶液;作為優(yōu)選示例:在100℃下,將過量鹵化銅基發(fā)光材料粉末加入到dmf溶劑中,充分?jǐn)嚢韬蟮玫綉覞嵋?,然后通過孔徑為0.22微米的針式過濾器過濾,獲得100℃下的飽和澄清溶液;
53、將上述飽和澄清溶液在靜置條件下緩慢冷卻至室溫,所述鹵化銅基發(fā)光材料單晶從溶液中析出;作為優(yōu)選示例:將上述飽和澄清溶液靜置在100℃熱臺上,令熱臺以5℃/小時的降溫速率緩慢降至室溫,所述鹵化銅基發(fā)光材料單晶從溶液中析出。
54、去除上清液,干燥后得到所述鹵化銅基發(fā)光材料單晶顆粒。作為優(yōu)選示例:去除上清液,將所得單晶在60℃烘箱中徹底烘干,得到所述單晶顆粒。
55、一種水穩(wěn)定的鹵化銅基發(fā)光材料薄膜的原位制備方法,包括如下步驟:
56、提供一種上述方法所制備的鹵化銅基發(fā)光材料粉末;
57、提供包括但不限于水、二甲基亞砜(dmso)、n,n-二甲基甲酰胺(dmf)、n-甲基吡咯烷酮(nmp)、γ-丁內(nèi)酯、四氫呋喃(thf)、乙酸乙酯、乙酸甲酯、甲醇、乙醇、異丙醇中的一種或多種,作為溶劑;
58、將過量鹵化銅基發(fā)光材料粉末投入溶劑中,充分?jǐn)嚢?,然后?jīng)過孔徑0.22微米的針式過濾器過濾,得到該發(fā)光材料的飽和溶液,攪拌和過濾都可在加熱下進行;作為優(yōu)選示例:在60℃下,將過量鹵化銅基發(fā)光材料粉末加入到dmso溶劑中,充分?jǐn)嚢韬蟮玫綉覞嵋海缓笸ㄟ^孔徑為0.22微米的針式過濾器過濾,獲得60℃下的飽和澄清溶液;
59、將上述飽和溶液旋涂在玻璃、硅片或其他常用的襯底表面,進行退火處理,得到所述水穩(wěn)定的鹵化銅基發(fā)光材料薄膜。作為進一步優(yōu)選:將上述飽和澄清溶液滴加在60℃的玻璃片表面,以4000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速旋涂120秒,然后將玻璃片置于100℃熱臺上退火10分鐘,得到所述水穩(wěn)定的鹵化銅基發(fā)光材料薄膜。
60、一種水穩(wěn)定的鹵化銅基發(fā)光材料膠體納米晶薄膜的制備方法,包括如下步驟:
61、提供一種上述方法制備的水穩(wěn)定的鹵化銅基發(fā)光材料膠體納米晶分散液;
62、將上述分散液旋涂在玻璃、硅片或其他常用的襯底表面,得到所述水穩(wěn)定的鹵化銅基發(fā)光材料膠體納米晶薄膜。作為進一步優(yōu)選:將上述分散液滴加在玻璃片表面,以2000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速旋涂50秒,得到所述水穩(wěn)定的鹵化銅基發(fā)光膠體納米晶薄膜。
63、一種下轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管,包括近紫外或紫光發(fā)光二極管和其表面涂覆的下轉(zhuǎn)換熒光粉,其中所述下轉(zhuǎn)換熒光粉為采用上述方法制得的鹵化銅基發(fā)光材料粉末。
64、一種電致發(fā)光二極管,包括ito導(dǎo)電玻璃、空穴注入層、空穴傳輸層、鹵化銅基發(fā)光材料發(fā)光層、電子傳輸層、電極層,其中所述鹵化銅基發(fā)光材料發(fā)光層為采用上述方法制得的鹵化銅基發(fā)光材料薄膜或鹵化銅基發(fā)光材料膠體納米晶薄膜。在上述中,除去鹵化銅基發(fā)光材料發(fā)光層外,電致發(fā)光二極管的其余結(jié)構(gòu)均可采用現(xiàn)有技術(shù)中任一種的物質(zhì)、配方和工藝方法,本領(lǐng)域技術(shù)人員在看到本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思后可進行任意的選擇和調(diào)配,因而本發(fā)明的保護范圍均應(yīng)當(dāng)涵蓋、并保護。
65、在一些實施例中,空穴注入層可以包括:聚苯乙烯磺酸摻雜的聚3,4-乙撐二氧噻吩(pedot:pss)、氧化鎳、氧化鎢、氧化釩、三氧化鉬中的一種或者多種。
66、在一些實施例中,空穴傳輸層可以包括:聚(9-乙烯咔唑)(pvk)、聚[(4,4′-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺)](polytpd)、聚[9,9-二辛基芴-共-n-[4-(3-甲基丙基)]-二苯基胺](tfb)、聚[雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](ptaa),聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二亞基)-交替-(9-(2-乙基己基)-咔唑-3,6-二亞基)](pf8cz)中的一種或多種。
67、在一些實施例中,電子傳輸層可以包括1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)、2,4,6-三[3-(二苯基膦氧基)苯基]-1,3,5-三唑(po-t2t)、二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚(dpepo)、3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三聯(lián)苯]-3,3”-二基]二吡啶(tmpypb)、氧化鋅(zno)中的一種或多種。
68、一種基于鹵化銅基發(fā)光材料的水穩(wěn)定的閃爍體膜的制備方法,包括如下步驟:
69、提供一種上述方法制備的鹵化銅基發(fā)光材料粉末;
70、提供一種聚合物基質(zhì),包括但不限于聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚二甲基硅氧烷(pdms)、聚丙烯酸(paa)、聚乙二醇(peg)、聚氧化乙烯(peo)等及其不同比例的混合物,例如pmma和peg以1:1的質(zhì)量比混合加入;
71、提供包括但不限于二甲基亞砜(dmso)、n,n-二甲基甲酰胺(dmf)、n-甲基吡咯烷酮(nmp)、γ-丁內(nèi)酯、四氫呋喃(thf)、乙酸乙酯、乙酸甲酯、甲醇、乙醇、異丙醇、甲苯、氯苯、二甲苯中的一種或多種,作為分散劑;
72、將所述鹵化銅基發(fā)光材料粉末利用研磨、球磨等方法降低其粒徑大小,獲得超細(xì)粉末;
73、將上述超細(xì)粉末與聚合物基質(zhì)混合,加入分散劑,攪拌若干小時,得到鹵化銅基發(fā)光材料-聚合物基質(zhì)復(fù)合分散液,攪拌過程可伴隨加熱;作為進一步優(yōu)選:將所得鹵化銅基發(fā)光材料超細(xì)粉末與pmma粉末以質(zhì)量比1:10混合,加入5倍固體質(zhì)量的dmf分散劑,在80℃下攪拌10小時,得到鹵化銅基發(fā)光材料-pmma復(fù)合分散液;
74、將上述分散液通過旋涂、刮涂、狹縫涂布等方式涂覆在玻璃襯底表面,在一定溫度下退火,待溶劑干燥后即得到所述基于鹵化銅基發(fā)光材料的水穩(wěn)定的閃爍體膜,可從玻璃襯底表面剝離;作為進一步優(yōu)選:將鹵化銅基發(fā)光材料-pmma復(fù)合分散液以1000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速旋涂在玻璃襯底表面,在80℃下退火30分鐘,得到所述水穩(wěn)定的鹵化銅基發(fā)光材料閃爍體膜,并可從玻璃襯底表面剝離。
75、該閃爍體膜可在x射線照射下表現(xiàn)出明亮的可見光發(fā)光,其發(fā)光光譜與紫外光激發(fā)下基本一致,可用于x射線成像應(yīng)用。
76、本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供一種水穩(wěn)定的鹵化銅基發(fā)光材料的制備方法及應(yīng)用,創(chuàng)新性地開發(fā)使用單官能團化的1,4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷銨陽離子作為有機陽離子的鹵化銅基發(fā)光材料,該材料具備絕佳的水穩(wěn)定性,并可被近紫外光(波長大于365納米)或更長波長的光所激發(fā),克服了先前領(lǐng)域內(nèi)開發(fā)的其他鹵化銅基發(fā)光材料的劣勢,在應(yīng)用方面更具優(yōu)勢。全面開發(fā)了該材料的粉末、單晶、膠體納米晶和薄膜形態(tài)的制備方法。最后,還展示了該種材料在發(fā)光二極管和x射線成像方面的應(yīng)用。