本技術(shù)屬于加熱不燃燒設(shè)備，尤其涉及功率調(diào)整方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品。

背景技術(shù)：

1、隨著技術(shù)發(fā)展，氣溶膠生成設(shè)備(也可以稱(chēng)為加熱不燃燒設(shè)備)應(yīng)用逐漸廣泛，氣溶膠生成設(shè)備由內(nèi)置電源、加熱系統(tǒng)、氣溶膠生成基質(zhì)以及過(guò)濾嘴等組成，在使用時(shí)通過(guò)內(nèi)置電源提供電能，通過(guò)加熱系統(tǒng)對(duì)氣溶生成基質(zhì)進(jìn)行加熱霧化，氣溶膠生成基質(zhì)中的活性基質(zhì)在加熱后產(chǎn)生蒸汽。

2、在相關(guān)技術(shù)中，在氣溶膠生成設(shè)備的出廠(chǎng)設(shè)置中，設(shè)定氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行功率，其中，運(yùn)行功率的大小決定了氣溶膠生成基質(zhì)中活性基質(zhì)在霧化過(guò)程中的濃度。

3、然而，由于氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行功率固定，氣溶膠生成基質(zhì)在持續(xù)霧化過(guò)程中產(chǎn)生的氣溶膠中存在過(guò)多的活性物質(zhì)(例如：尼古丁)，從而增大了用戶(hù)對(duì)活性物質(zhì)的成癮性，影響用戶(hù)健康。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)實(shí)施例提供了功率調(diào)整方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品，通過(guò)設(shè)定一定的條件，自動(dòng)調(diào)整氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行功率，階段式地降低活性物質(zhì)在霧化過(guò)程中的生產(chǎn)量，提升用戶(hù)健康。

2、第一方面，本技術(shù)實(shí)施例提供了一種功率調(diào)整方法，應(yīng)用于氣溶膠生成設(shè)備，氣溶膠生成設(shè)備中裝配有氣溶膠生成基質(zhì)，該方法包括：

3、以第一運(yùn)行功率運(yùn)行所述氣溶膠生成設(shè)備，其中，所述氣溶膠生成基質(zhì)中的活性基質(zhì)在以所述第一運(yùn)行功率霧化的過(guò)程中對(duì)應(yīng)第一基質(zhì)濃度；

4、在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合第一條件的情況下，將所述第一運(yùn)行功率調(diào)整為第二運(yùn)行功率，所述氣溶膠生成基質(zhì)中的活性基質(zhì)在以所述第二運(yùn)行功率霧化的過(guò)程中對(duì)應(yīng)第二基質(zhì)濃度，所述第二基質(zhì)濃度小于所述第一基質(zhì)濃度；

5、以所述第二運(yùn)行功率運(yùn)行所述氣溶膠生成設(shè)備。

6、可選地，所述第一條件包括如下中至少一種：

7、所述氣溶膠生成設(shè)備的第一運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)達(dá)到第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)；

8、所述氣溶膠生成基質(zhì)的第一霧化次數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)數(shù)量；

9、所述氣溶膠生成設(shè)備的加熱時(shí)長(zhǎng)達(dá)到第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)；

10、所述氣溶膠生成設(shè)備接收到第一調(diào)整操作，所述第一調(diào)整操作用于調(diào)整所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行功率；

11、所述氣溶膠生成基質(zhì)的剩余量低于第一預(yù)設(shè)含量；

12、所述氣溶膠生成基質(zhì)的已霧化量達(dá)到第二預(yù)設(shè)含量。

13、可選地，所述在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合第一條件的情況下，將所述第一運(yùn)行功率調(diào)整為第二運(yùn)行功率，包括：

14、在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合第一條件的情況下，且所述第一基質(zhì)濃度達(dá)到第一濃度閾值的情況下，將所述第一運(yùn)行功率調(diào)整為所述第二運(yùn)行功率。

15、可選地，所述第一條件包括所述氣溶膠生成設(shè)備的第一運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)達(dá)到第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)；

16、所述將所述第一運(yùn)行功率調(diào)整為第二運(yùn)行功率之后，還包括：

17、對(duì)所述氣溶膠生成設(shè)備的第一運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)進(jìn)行清零計(jì)算處理；

18、所述以所述第二運(yùn)行功率運(yùn)行所述氣溶膠生成設(shè)備之后，還包括：

19、在所述氣溶膠生成設(shè)備的第二運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)達(dá)到所述第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)的情況下，將所述第二運(yùn)行功率調(diào)整為第三運(yùn)行功率，所述第二運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)是指所述第一運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)清零后所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)，所述第三運(yùn)行功率與所述第二運(yùn)行功率不同。

20、可選地，所述第一條件包括所述氣溶膠生成基質(zhì)的第一霧化次數(shù)達(dá)到第一預(yù)設(shè)數(shù)量；

21、所述將所述第一運(yùn)行功率調(diào)整為第二運(yùn)行功率之后，還包括：

22、對(duì)所述氣溶膠生成基質(zhì)的第一霧化次數(shù)進(jìn)行清零計(jì)算處理；

23、所述以所述第二運(yùn)行功率運(yùn)行所述氣溶膠生成設(shè)備之后，還包括：

24、在所述氣溶膠生成基質(zhì)的第二霧化次數(shù)達(dá)到所述第一預(yù)設(shè)數(shù)量的情況下，將所述第二運(yùn)行功率調(diào)整為第四運(yùn)行功率，所述第二霧化次數(shù)是指所述第一霧化次數(shù)清零后所述氣溶膠生成基質(zhì)的霧化次數(shù)，所述第四運(yùn)行功率與所述第二運(yùn)行功率不同。

25、可選地，所述將所述第一運(yùn)行功率調(diào)整為第二運(yùn)行功率，包括：

26、獲取所述氣溶膠生成設(shè)備對(duì)應(yīng)的歷史運(yùn)行數(shù)據(jù)，所述歷史運(yùn)行數(shù)據(jù)表示所述氣溶膠生成設(shè)備在歷史時(shí)段內(nèi)對(duì)應(yīng)的歷史運(yùn)行功率；

27、獲取多個(gè)功率閾值；

28、以所述多個(gè)功率閾值為基準(zhǔn)對(duì)多個(gè)歷史運(yùn)行功率進(jìn)行數(shù)值分類(lèi)，得到所述多個(gè)歷史運(yùn)行功率的分類(lèi)結(jié)果；

29、從所述分類(lèi)結(jié)果中確定參考功率；

30、以所述參考功率為基準(zhǔn)將所述第一運(yùn)行功率調(diào)整為所述第二運(yùn)行功率，所述第一運(yùn)行功率與所述參考功率之間對(duì)應(yīng)第一功率差，所述第二運(yùn)行功率與所述參考功率之間對(duì)應(yīng)第二功率差，所述第二功率差小于所述第一功率差。

31、可選地，所述將所述第一運(yùn)行功率調(diào)整為第二運(yùn)行功率之后，還包括：

32、在所述氣溶膠生成設(shè)備的第一區(qū)域內(nèi)顯示功率調(diào)整標(biāo)識(shí)，所述功率調(diào)整標(biāo)識(shí)表示所述氣溶膠生成設(shè)備從所述第一運(yùn)行功率調(diào)整為所述第二運(yùn)行功率；

33、在接收到第二調(diào)整操作的情況下，將所述第二運(yùn)行功率調(diào)整為第五運(yùn)行功率，所述第五運(yùn)行功率大于所述第二運(yùn)行功率且所述第五運(yùn)行功率小于所述第一運(yùn)行功率。

34、第二方面，本技術(shù)實(shí)施例提供了一種功率調(diào)整裝置，包括：

35、運(yùn)行模塊，用于以第一運(yùn)行功率運(yùn)行所述氣溶膠生成設(shè)備，其中，所以氣溶膠生成設(shè)備中裝配有氣溶膠生成基質(zhì)，所述氣溶膠生成基質(zhì)中的活性基質(zhì)在以所述第一運(yùn)行功率霧化的過(guò)程中對(duì)應(yīng)第一基質(zhì)濃度；

36、調(diào)整模塊，用于在所述氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合第一條件的情況下，將所述第一運(yùn)行功率調(diào)整為第二運(yùn)行功率，所述氣溶膠生成基質(zhì)中的活性基質(zhì)在以所述第二運(yùn)行功率霧化的過(guò)程中對(duì)應(yīng)第二基質(zhì)濃度，所述第二基質(zhì)濃度小于所述第一基質(zhì)濃度；

37、所述運(yùn)行模塊，還用于以所述第二運(yùn)行功率運(yùn)行所述氣溶膠生成設(shè)備。

38、第三方面，本技術(shù)實(shí)施例提供了一種計(jì)算機(jī)設(shè)備，包括：存儲(chǔ)器、處理器以及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中并可在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)上述第一方面中任一項(xiàng)所述的功率調(diào)整方法。

39、第四方面，本技術(shù)實(shí)施例提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)裝配有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)第一方面中任一項(xiàng)所述的功率調(diào)整方法。

40、第五方面，本技術(shù)實(shí)施例提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，當(dāng)計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品在計(jì)算機(jī)設(shè)備上運(yùn)行時(shí)，使得計(jì)算機(jī)設(shè)備執(zhí)行上述第一方面中任一項(xiàng)所述的功率調(diào)整方法。

41、可以理解的是，上述第二方面至第五方面的有益效果可以參見(jiàn)上述第一方面中的相關(guān)描述，在此不再贅述。

42、本技術(shù)實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果至少包括：

43、在以第一運(yùn)行功率運(yùn)行氣溶膠生成設(shè)備的過(guò)程中，氣溶膠生成基質(zhì)中的活性基質(zhì)對(duì)應(yīng)霧化有第一基質(zhì)濃度，若氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)符合第一條件的情況下，調(diào)整氣溶膠生成設(shè)備至第二運(yùn)行功率運(yùn)行，也就是說(shuō)，通過(guò)設(shè)置一定的條件機(jī)制，自動(dòng)調(diào)整氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行功率，從而自動(dòng)調(diào)節(jié)活性基質(zhì)在霧化過(guò)程中的基質(zhì)濃度，提升氣溶膠生成設(shè)備的運(yùn)行效率的同時(shí)，還能夠通過(guò)階段式地降低活性物質(zhì)濃度以達(dá)到逐漸緩解甚至解決用戶(hù)的成癮性問(wèn)題。