本技術涉及顯示，具體而言，涉及一種顯示面板、顯示面板的制造方法及電子設備。

背景技術：

1、有機發(fā)光二極管（organic?light?emitting?diode，oled）以及基于發(fā)光二極管（light?emitting?diode，led）等技術的平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應用于手機、電視、筆記本電腦、臺式電腦等各種消費性電子產品，成為顯示裝置中的主流。傳統(tǒng)顯示面板制備過程中，通常通過精細金屬掩模版（fmm）實現(xiàn)發(fā)光像素圖形化。fmm技術成熟、量產經驗豐富。但是，fmm技術同時又具有精度有限、開發(fā)成本高、開發(fā)周期長等問題。無精細金屬掩模技術消除了傳統(tǒng)oled工藝對顯示屏尺寸、分辨率及其他屏體性能的限制，具有高性能、全域尺寸、敏捷交付的優(yōu)勢。專利cn118251982a、cn116648095a、cn117062489a、cn118742138a、cn118678783a、cn118660598a、cn118675450a、cn118824188a、cn118781966a記載了無精細金屬掩模技術的相關內容，以供參考。

2、但目前的oled顯示產品的性能有待提升。

技術實現(xiàn)思路

1、為了克服現(xiàn)有技術中的上述不足，本技術的目的在于提供本技術的目的之一在于提供一種顯示面板，所述顯示面板包括：

2、基板；

3、位于所述基板一側的第一導電層；

4、位于所述第一導電層遠離所述基板一側的第一絕緣層，所述第一絕緣層包括至少一個露出所述第一導電層的第一通孔；

5、至少一個輔助導電單元，所述輔助導電單元包括相互連接的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一絕緣層遠離所述基板的一側，所述第二部分沿所述第一絕緣層朝向所述第一通孔的側壁延伸至所述第一通孔內形成凹陷結構并與所述第一導電層接觸；

6、至少部分位于所述凹陷結構內的填充單元；

7、至少一個發(fā)光器件的第一電極，所述第一電極位于對應的所述輔助導電單元和所述填充單元遠離所述基板的一側，所述第一電極的至少部分與所述輔助導電單元接觸，所述第一電極在所述基板上的正投影位于所述輔助導電單元在所述基板上的正投影內。

8、在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述第一電極在所述基板上的正投影的邊緣和所述輔助導電單元在所述基板上的正投影的邊緣之間的最小距離大于或等于1.5微米；

9、優(yōu)選地，所述第一電極在所述基板上的正投影的邊緣和所述輔助導電單元在所述基板上的正投影的邊緣之間的距離小于或等于2微米。

10、在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述第一電極包括第一面、第二面和側面，所述第一面為位于朝向所述基板的一側，所述第二面位于遠離所述基板的一側，所述側面連接所述第一面和所述第二面，所述側面和所述基板所在面之間的夾角小于或等于60度。

11、在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述第一電極靠近所述基板一側的膜層材料與所述輔助導電單元的材料相同；

12、優(yōu)選地；所述第一電極靠近所述基板一側的膜層材料與所述輔助導電單元的材料均包括氧化銦錫。

13、在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述第一電極包括沿遠離所述基板的方向依次層疊設置的第一子層、第二子層及第三子層，在所述基板的厚度方向上，所述第一子層的厚度小于或等于0.01微米；

14、優(yōu)選地，所述第一子層的厚度范圍為0.005微米到0.01微米；

15、優(yōu)選地，所述第一子層和所述第三子層的膜層材料均包括氧化銦錫，所述第二子層的膜層材料包括銀；

16、優(yōu)選地，所述第一子層在所述基板上的正投影的邊緣和所述第二子層在所述基板上的正投影的邊緣之間的距離小于或等于0.1微米。

17、在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述填充單元遠離所述基板的一側到所述基板的距離大于或等于所述輔助導電單元的所述第一部分遠離所述基板的一側到所述基板的距離；

18、優(yōu)選地，所述填充單元的材料包括有機材料。

19、在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述顯示面板還包括：

20、位于所述第一電極遠離所述基板一側的像素界定層，所述像素界定層包括多個像素開口，所述像素開口露出至少部分對應的所述第一電極；

21、位于所述像素界定層遠離所述基板一側的隔離結構，所述隔離結構包括多個隔離開口，所述像素開口在所述基板上的正投影位于對應的所述隔離開口在所述基板上的正投影內；

22、所述第一通孔在所述基板上的正投影位于所述隔離開口在所述基板上的正投影內。

23、在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述顯示面板還包括多個發(fā)光器件的發(fā)光功能層和第二電極，所述發(fā)光功能層和第二電極位于對應的隔離開口內；

24、優(yōu)選地，所述隔離結構具有導電性，所述第二電極與所述隔離結構接觸；

25、優(yōu)選地，所述像素界定層的材料包括無機絕緣材料。

26、在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述顯示面板還包括多個封裝單元，所述封裝單元位于對應的所述發(fā)光器件遠離所述基板的一側；

27、優(yōu)選地，相鄰的所述封裝單元之間具有間隙；

28、優(yōu)選地，所述顯示面板還包括位于所述封裝單元和所述隔離結構遠離所述基板一側的第一封裝層和第二封裝層；

29、優(yōu)選地，所述封裝單元和所述第二封裝層的材料包括無機材料；所述第一封裝層的材料包括有機材料。

30、在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述隔離結構包括支撐部及位于所述支撐部遠離所述基板一側的遮擋部，所述支撐部在所述基板上的正投影位于所述遮擋部在所述基板上的正投影內；

31、優(yōu)選地，在同一刻蝕條件下，所述支撐部的耐刻蝕性弱于所述遮擋部的耐刻蝕性；

32、優(yōu)選地，所述支撐部的材料包括鋁，和/或所述遮擋部的材料包括鈦；

33、優(yōu)選地，所述隔離結構還包括位于所述支撐部和所述基板之間的承接部；

34、優(yōu)選地，所述承接部在所述基板上的正投影位于所述遮擋部在所述基板上的正投影內；

35、優(yōu)選地，所述承接部的材料包括鉬。

36、本技術的目的之一在于提供一種顯示面板的制造方法，所述方法包括：

37、提供基板；

38、在所述基板的一側形成第一導電層；

39、在所述第一導電層遠離所述基板的一側形成第一絕緣層，所述第一絕緣層包括至少一個露出所述第一導電層的第一通孔；

40、形成至少一個輔助導電單元，所述輔助導電單元包括相互連接的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一絕緣層遠離所述基板的一側，所述第二部分沿所述第一絕緣層朝向所述第一通孔的側壁延伸至所述第一通孔內形成凹陷結構并與所述第一導電層接觸；

41、形成至少部分位于所述凹陷結構內的填充單元；

42、形成至少一個發(fā)光器件的第一電極，所述第一電極位于對應的所述輔助導電單元和所述填充單元遠離所述基板的一側，所述第一電極的至少部分與所述輔助導電單元接觸，所述第一電極在所述基板上的正投影位于所述輔助導電單元在所述基板上的正投影內。

43、在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述方法還包括形成至少一個發(fā)光器件的第一電極的步驟，包括：

44、形成整層覆蓋的導電材料層，所述導電材料層包括沿遠離所述基板的方向依次層疊設置的第一子層、第二子層及第三子層；

45、在一次刻蝕中對所述第一子層、所述第二子層及所述第三子層進行圖案化刻蝕，形成至少一個發(fā)光器件的第一電極。

46、在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述方法還包括：

47、在所述第一電極遠離所述基板的一側形成像素界定層，所述像素界定層包括多個像素開口，所述像素開口露出至少部分對應的所述第一電極；

48、對所述像素界定層進行烘烤。

49、在一些可能的實現(xiàn)方式中，所述對所述像素界定層進行烘烤的步驟，包括：

50、采用小于或等于200攝氏度的溫度對所述像素界定層進行小于或等于30分鐘的烘烤。

51、本技術的另一目的在于提供一種電子設備，所述電子設備包括本技術提供的所述顯示面板，或者所述電子設備包括由本技術提供的所述顯示面板的制造方法制成的顯示面板。

52、相對于現(xiàn)有技術而言，本技術具有以下有益效果：

53、本技術提供一種顯示面板、顯示面板的制造方法及電子設備，通過將輔助導電單元的覆蓋范圍設置為比第一電極的覆蓋范圍更大，使第一電極完全位于輔助導電單元之上，可以降低在設置像素界定層后，第一電極邊緣存在空洞的風險，從而降低后續(xù)空洞之下的有機膜層釋放水汽使沿像素界定的邊緣傳播導致顯示面板產生顯示麻點的風險。