本申請實施例涉及半導(dǎo)體激光器，特別是涉及一種表面發(fā)射激光器。
背景技術(shù)：
1、表面發(fā)射激光器，例如垂直腔面發(fā)射激光器（vcsel）輸出激光的偏振方向通常是隨機的，而在許多應(yīng)用領(lǐng)域，具有穩(wěn)定的偏振方向的激光輸出對于整個系統(tǒng)來說是非常重要的，為此通常在vcsel出光側(cè)額外制作一層高對比度光柵來進行偏振控制。
2、目前的光柵通常采用沉積+刻蝕工藝制作，這種方式會形成非平面表面。而在常規(guī)情況下，需要額外在光柵的表面再制作一層材料使其理想地平面化。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、基于此，有必要針對上述技術(shù)問題，提供一種表面發(fā)射激光器。
2、第一方面，本申請?zhí)峁┮环N表面發(fā)射激光器，包括：
3、襯底；
4、設(shè)于所述襯底上的底部反射鏡結(jié)構(gòu)、活性層和頂部反射鏡結(jié)構(gòu)；
5、光柵結(jié)構(gòu)，設(shè)于所述頂部反射鏡結(jié)構(gòu)上；所述光柵結(jié)構(gòu)包括基層和對所述基層的部分區(qū)域進行離子注入得到的注入層，所述注入層的折射率不同于所述基層的折射率，所述光柵結(jié)構(gòu)被配置為控制所述表面發(fā)射激光器的輸出光偏振模式。
6、在其中一個實施例中，所述基層包括砷化鎵、磷化銦、二氧化硅中的任一種。
7、在其中一個實施例中，所述注入層包括多個條狀圖案或多個點狀圖案；和/或
8、所述條狀圖案或點狀圖案在所述基層中均勻分布。
9、在其中一個實施例中，至少部分條狀圖案的尺寸與其余條狀圖案的尺寸不同；或
10、至少部分點狀圖案的尺寸與其余點狀圖案的尺寸不同。
11、在其中一個實施例中，各所述條狀圖案的尺寸相同；或各所述點狀圖案的尺寸相同。
12、在其中一個實施例中，同一所述條狀圖案的深度小于該條狀圖案的寬度；或，同一所述點狀圖案的深度小于該點狀圖案的寬度。
13、在其中一個實施例中，所述條狀圖案或所述點狀圖案的深度不大于所述表面發(fā)射激光器的波長；和/或
14、所述光柵結(jié)構(gòu)的光柵周期不大于所述表面發(fā)射激光器的波長。
15、在其中一個實施例中，所述注入層的深度介于0.11λ-0.26λ之間，其中λ為所述表面發(fā)射激光器的波長。
16、在其中一個實施例中，所述注入層的寬度在從約0.09λ-0.23λ之間，其中λ為所述表面發(fā)射激光器的波長。
17、在其中一個實施例中，還包括形成在所述光柵結(jié)構(gòu)上的電介質(zhì)層；和/或
18、在所述光柵結(jié)構(gòu)之上或之下或形成在所述光柵結(jié)構(gòu)的開口中的歐姆接觸金屬。
19、在其中一個實施例中，所述光柵結(jié)構(gòu)背離所述外延結(jié)構(gòu)的一面為平面。
20、在其中一個實施例中，所述基層的折射率大于或等于所述注入層的折射率的兩倍。
21、在其中一個實施例中，所述離子注入的材料包括以下至少一種物質(zhì)：
22、h+、o+、n+、ar+。
23、上述表面發(fā)射激光器，通過引入離子注入方式制作平面化的光柵，可避免現(xiàn)有主流通過沉積+刻蝕工藝制作光柵帶來的表面不平整所引入的空隙、凸起和表面平面化困難等問題。
24、第二方面，本申請?zhí)峁┝艘环Nvcsel芯片，包括至少一個激光器陣列；所述激光器陣列包括多個如上述的表面發(fā)射激光器；所述激光器陣列為規(guī)則排布陣列，或者為隨機排布陣列，或者是具有可尋址的多個子陣列的陣列。
25、第三方面，本申請?zhí)峁┝艘环N用于激光雷達系統(tǒng)的光源，包括至少一個如上述的垂直腔面發(fā)射激光器或者至少一個如上述的vcsel芯片。
26、第四方面，本申請?zhí)峁┝艘环N激光雷達系統(tǒng)，包括發(fā)射組件和接收組件，所述發(fā)射組件采用上述的用于激光雷達系統(tǒng)的光源。
1.一種表面發(fā)射激光器，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器，其特征在于，所述基層包括砷化鎵、磷化銦、二氧化硅中的任一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器，其特征在于，所述注入層包括多個條狀圖案或多個點狀圖案；或
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面發(fā)射激光器，其特征在于，至少部分條狀圖案的尺寸與其余條狀圖案的尺寸不同；或
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面發(fā)射激光器，其特征在于，各所述條狀圖案的尺寸相同；或各所述點狀圖案的尺寸相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面發(fā)射激光器，其特征在于，同一所述條狀圖案的深度小于該條狀圖案的寬度；或，同一所述點狀圖案的深度小于該點狀圖案的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面發(fā)射激光器，其特征在于，所述條狀圖案或所述點狀圖案的深度不大于所述表面發(fā)射激光器的波長；或
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器，其特征在于，所述注入層的深度介于0.11λ-0.26λ之間，其中λ為所述表面發(fā)射激光器的波長。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器，其特征在于，所述注入層的寬度在從約0.09λ-0.23λ之間，其中λ為所述表面發(fā)射激光器的波長。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器，其特征在于，所述光柵結(jié)構(gòu)背離所述外延結(jié)構(gòu)的一面為平面。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10任一項所述的表面發(fā)射激光器，其特征在于，所述基層的折射率大于或等于所述注入層的折射率的兩倍。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-10任一項所述的表面發(fā)射激光器，其特征在于，還包括形成在所述光柵結(jié)構(gòu)上的電介質(zhì)層；或
13.根據(jù)權(quán)利要求1-10任一項所述的表面發(fā)射激光器，其特征在于，所述離子注入的材料包括以下至少一種物質(zhì)：