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一種聲表面波傳感器芯片結(jié)構(gòu)及傳感器的制作方法

文檔序號(hào):11231342閱讀:617來(lái)源:國(guó)知局

本發(fā)明涉及信號(hào)與信息處理領(lǐng)域,尤其涉及一種聲表面波傳感器裝置。



背景技術(shù):

聲表面波(saw,surfaceacousticwave)傳感器,由于其性能好、體積小、成本低等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于如壓力、溫度、應(yīng)變等諸多物理量的監(jiān)測(cè)。

一般無(wú)線無(wú)源saw傳感器,是由傳感器芯片和讀寫器組成。傳感器芯片通過(guò)天線接收讀寫器發(fā)射的射頻信號(hào),基于壓電效應(yīng),傳感器芯片的叉指換能器將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能,在傳播路徑上調(diào)制聲波信號(hào),通過(guò)逆壓電效應(yīng),機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能,為傳感器提供能量。但是,由于saw傳感器的能量來(lái)自于讀寫器,而射頻信號(hào)在大氣中衰減嚴(yán)重,接收到的信號(hào)很弱,通過(guò)壓電效應(yīng)產(chǎn)生的能量很弱,因而嚴(yán)重制約著saw傳感器的讀寫距離。目前saw無(wú)線傳感器可實(shí)現(xiàn)的最遠(yuǎn)距離是6米,并不能完全滿足傳感器市場(chǎng)的需求。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于,解決現(xiàn)有技術(shù)中聲表面波傳感器存在的上述不足之處。

為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種聲表面波傳感器芯片結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)包括,壓電基片和叉指換能器;其中,叉指換能器包括匯流條和電極部分,電極部分設(shè)置為尖角結(jié)構(gòu);壓電基片用于積聚電能;叉指換能器用于將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能,在傳播路徑上調(diào)制聲波信號(hào),通過(guò)逆壓電效應(yīng),將機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能,為聲表面波傳感器提供能量。

優(yōu)選地,聲表面波傳感器芯片結(jié)構(gòu)所采用的壓電基片是鈮酸鋰(linbo3)、鉭酸鋰晶體(litao3)、氧化鋅(zno)、或鋯鈦酸鉛壓電陶瓷(pzt)材料,上述材料均是熱釋電系數(shù)大的材料,能夠最大限度的進(jìn)行電荷積累。

優(yōu)選地,叉指換能器電極部分采用銅、鎢、金、鉑及其合金材料制作而成。

優(yōu)選地,匯流條面積根據(jù)以下步驟計(jì)算獲得:

步驟一:根據(jù)功率需求確定電流值大小,p=i2r,式中,r為器件電阻值大小,i為電流大小,p為器件的功率;

步驟二:根據(jù)所求電流值大小,依據(jù)可求得當(dāng)前匯流條的表面積。式中,a為匯流條的表面積,p是所用材料的熱釋電系數(shù),t為當(dāng)前溫度,為溫度變化率。

另一方面,本發(fā)明提供了一種傳感器,該傳感器包括讀寫器和上述傳感器芯片。

本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明利用壓電基片具有熱釋電效應(yīng),在壓電基片上盡可能多的積聚電能,并在叉指電極處利用尖端放電將電荷高效地釋放,為傳感器芯片自身提供射頻能量,以提高傳感器的讀寫范圍,實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)距離的接收信號(hào)。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種聲表面波傳感器芯片結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面通過(guò)附圖和實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種聲表面波傳感器芯片結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,該聲表面波傳感器芯片結(jié)構(gòu)包括,壓電基片21和叉指換能器20;其中,叉指換能器20包括匯流條22和電極部分23,所述電極部分23設(shè)置為尖角結(jié)構(gòu);

壓電基片21用于積聚電能;叉指換能器20用于將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能,在傳播路徑上調(diào)制聲波信號(hào),通過(guò)逆壓電效應(yīng),將機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能,為聲表面波傳感器提供能量。

具體地,聲表面波傳感器芯片結(jié)構(gòu)采用的壓電基片21是linbo3或litao3、zno、pzt材料,這些材料均是熱釋電系數(shù)大的材料,能夠最大限度的進(jìn)行電荷積累。

傳統(tǒng)saw傳感器的制作過(guò)程包括退火還原處理操作,該退火還原處理操作是是為了減少電荷積累對(duì)器件的損壞,降低基片熱釋電系數(shù)。而本發(fā)明實(shí)施例提供的聲表面波傳感器芯片結(jié)構(gòu)采用的壓電基片可以利用電荷積累產(chǎn)生能量,固不做退火還原處理。

具體地,聲表面波傳感器芯片采用的叉指換能器電極的匯流條22表面積可通過(guò)一定方法根據(jù)具體功率需求決定,以增大產(chǎn)生熱釋電效應(yīng)的區(qū)域。具體計(jì)算方法如下:

步驟一:根據(jù)功率需求確定電流值大小,p=i2r,式中,r為器件電阻值大小,i為電流大小,p為器件的功率;

步驟二:根據(jù)所求電流值大小,依據(jù)可求得當(dāng)前匯流條的表面積。式中,a為匯流條的表面積,p是所用材料的熱釋電系數(shù),t為當(dāng)前溫度,為溫度變化率。

具體地,聲表面波傳感器采用的叉指換能器電極23采用銅、鎢、金、鉑及其合金材料制作而成,能夠防止過(guò)大電荷擊穿器件。

具體地,聲表面波傳感器采用的叉指換能器電極23采用具有相對(duì)的尖角結(jié)構(gòu),該尖角結(jié)構(gòu)是利用局部放電原理,使得到的電荷更高效地釋放。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)對(duì)聲表面波(saw)傳感器的壓電基片進(jìn)行改進(jìn),可以增加壓電效應(yīng)產(chǎn)生的熱量,從而提供更多的電能;通過(guò)改變叉指換能器電極的結(jié)構(gòu),可以實(shí)現(xiàn)尖端充分放電,提高saw傳感器的讀寫范圍。

以上的具體實(shí)施方式,對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明,所應(yīng)理解的是,以上僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式而已,并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。



技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種聲表面波傳感器芯片結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)包括,壓電基片(21)和叉指換能器(20);其中,叉指換能器(20)包括匯流條(22)和電極部分(23),電極部分(23)設(shè)置為尖角結(jié)構(gòu);壓電基片(21)用于積聚電能;叉指換能器(20)用于將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能,在傳播路徑上調(diào)制聲波信號(hào),通過(guò)逆壓電效應(yīng),將機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能,為聲表面波傳感器提供能量。本發(fā)明能夠使SAW傳感器的讀寫范圍大大提升,實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)距離的接收,滿足傳感器市場(chǎng)對(duì)于讀寫范圍的需求。

技術(shù)研發(fā)人員:李紅浪;蔡飛達(dá);李鵬旭;柯亞兵;田亞會(huì);程利娜
受保護(hù)的技術(shù)使用者:中國(guó)科學(xué)院聲學(xué)研究所
技術(shù)研發(fā)日:2017.03.29
技術(shù)公布日:2017.09.08
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