本發(fā)明屬于傳感器，尤其涉及一種聲學(xué)器件的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)及其工藝。
背景技術(shù)：
1、mems（micro-electro-mechanical?system）技術(shù)是當(dāng)今最炙手可熱的傳感器制造技術(shù)，也是傳感器小型化、智能化、低能耗的重要推動力，mems技術(shù)促進(jìn)了傳感器的極大發(fā)展，mems主要采用微電子技術(shù)，在微納米的體積下塑造傳感器的機(jī)械結(jié)構(gòu)，mems傳感器就是將一顆第二器件與一顆專用集成電路芯片（第一器件）封裝在一起后形成的器件，第二器件（mems芯片）將聲音轉(zhuǎn)化為電容、電阻等信號變化，第一器件（asic芯片）將電容、電阻等信號變化轉(zhuǎn)化為電信號，由此實現(xiàn)mems傳感器的功能——外界信號轉(zhuǎn)化為電信號，mems聲學(xué)傳感器主要是指硅麥克風(fēng)、超聲波傳感器等。
2、mems聲學(xué)傳感器的核心是mems芯片，mems芯片的振膜由于聲波沖擊產(chǎn)生機(jī)械振動，引起電性值變化，現(xiàn)有的mems芯片的電極一般設(shè)置在芯片正面，即振膜所在襯底的表面，振膜需要機(jī)械振動空間，導(dǎo)致mems芯片的電性連接端電性引出靈活性差，mems芯片與asic芯片互聯(lián)時，往往通過在正面電極與asic芯片之間打線實現(xiàn)，導(dǎo)致結(jié)構(gòu)的尺寸過大，達(dá)不到器件小型化的要求，mems芯片通過正面的電極金屬導(dǎo)線牽引與其他器件電性連接，容易破壞極薄的振膜，電性連接工藝難度大。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、為解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供了一種聲學(xué)器件的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)及其工藝。
2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的一種聲學(xué)器件的mems芯片封裝工藝，包括以下步驟：
3、襯底蝕刻：襯底上方設(shè)有電極，電極上方設(shè)有振膜，從襯底遠(yuǎn)離電極的表面中部位置貫穿蝕刻形成背腔，以暴露出電極，背腔位于電極的正下方；
4、并同時貫穿蝕刻襯底其他部分，形成電路孔暴露出電極；
5、電路電鍍：在電路孔內(nèi)電鍍金屬填充，形成電路，電路一端與電極電性連接，電路的另一端與襯底表面齊平外露。
6、進(jìn)一步的，所述襯底蝕刻步驟中，襯底的材料選自柔性材料、玻璃、半導(dǎo)體材料中的一種或多種。
7、更進(jìn)一步的，所述襯底蝕刻步驟中，襯底上覆蓋電極，電極為多孔結(jié)構(gòu)。
8、進(jìn)一步的，所述襯底蝕刻步驟中，在電極上覆蓋振膜，振膜與電極之間間距為1-5μm。
9、進(jìn)一步的，所述襯底蝕刻步驟中，振膜的材料選自多晶硅、氮化硅或金屬中的一種或多種。
10、更進(jìn)一步的，所述電路電鍍步驟中，在外露電路的襯底表面延伸電鍍焊腳，焊腳與電路電性連接。
11、更進(jìn)一步的，所述電路電鍍步驟中，振膜產(chǎn)生機(jī)械振動，引起電值變化，并依次通過電極、電路、焊腳傳遞。
12、一種聲學(xué)器件的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括襯底，還包括：
13、電極和振膜，電極設(shè)在襯底上方，振膜設(shè)在電極上方；
14、背腔，從襯底遠(yuǎn)離電極的表面中部位置貫穿蝕刻形成背腔暴露出電極，背腔位于振膜和電極的正下方；
15、電路，貫穿蝕刻襯底其他部分形成電路孔，在電路孔內(nèi)電鍍金屬填充，形成電路，電路一端與電極電性連接，電路的另一端與襯底表面齊平外露。
16、進(jìn)一步的，所述襯底的材料選自柔性材料、玻璃、半導(dǎo)體材料中的一種或多種。
17、進(jìn)一步的，所述襯底上覆蓋電極，電極為多孔結(jié)構(gòu)。
18、更進(jìn)一步的，所述電極上覆蓋振膜，振膜與電極之間間距為1-5μm。
19、更進(jìn)一步的，所述振膜的材料選自多晶硅、氮化硅或金屬中的一種或多種。
20、進(jìn)一步的，在外露電路的襯底表面延伸電鍍焊腳，所述焊腳與電路電性連接。
21、進(jìn)一步的，所述振膜產(chǎn)生機(jī)械振動，引起電值變化，并依次通過電極、電路、焊腳傳遞。
22、一種聲學(xué)器件，包括上述的聲學(xué)器件的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)。
23、本發(fā)明的有益效果為：通過在mems芯片制作過程中增加襯底蝕刻后電鍍電路和與電路連接的焊腳，將mems芯片電性從其正面的電極牽引至其背面的焊腳，mems芯片貼裝靈活度更好，襯底內(nèi)部電路代替打線工藝，芯片的整個結(jié)構(gòu)更加緊湊，滿足器件小型化的需求。
1.一種聲學(xué)器件的mems芯片封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲學(xué)器件的mems芯片封裝工藝，其特征在于，所述襯底蝕刻步驟中，襯底的材料選自柔性材料、玻璃、半導(dǎo)體材料中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲學(xué)器件的mems芯片封裝工藝，其特征在于，所述襯底蝕刻步驟中，襯底上覆蓋電極，電極為多孔結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的聲學(xué)器件的mems芯片封裝工藝，其特征在于，所述襯底蝕刻步驟中，在電極上覆蓋振膜，振膜與電極之間間距為1-5μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的聲學(xué)器件的mems芯片封裝工藝，其特征在于，所述襯底蝕刻步驟中，振膜的材料選自多晶硅、氮化硅或金屬中的一種或多種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲學(xué)器件的mems芯片封裝工藝，其特征在于，所述電路電鍍步驟中，在外露電路的襯底表面延伸電鍍焊腳，焊腳與電路電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲學(xué)器件的mems芯片封裝工藝，其特征在于，所述電路電鍍步驟中，振膜產(chǎn)生機(jī)械振動，引起電值變化，并依次通過電極、電路、焊腳傳遞。
8.一種聲學(xué)器件的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括襯底，其特征在于，還包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的聲學(xué)器件的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底的材料選自柔性材料、玻璃、半導(dǎo)體材料中的一種或多種。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的聲學(xué)器件的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底上覆蓋電極，電極為多孔結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的聲學(xué)器件的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極上覆蓋振膜，振膜與電極之間間距為1-5μm。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的聲學(xué)器件的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述振膜的材料選自多晶硅、氮化硅或金屬中的一種或多種。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的聲學(xué)器件的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，在外露電路的襯底表面延伸電鍍焊腳，所述焊腳與電路電性連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的聲學(xué)器件的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述振膜產(chǎn)生機(jī)械振動，引起電值變化，并依次通過電極、電路、焊腳傳遞。
15.一種聲學(xué)器件，其特征在于，包括權(quán)利要求8所述的聲學(xué)器件的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)。