本發(fā)明涉及碳化硅晶體生長(zhǎng)，具體而言，涉及一種碳化硅晶體長(zhǎng)晶爐。
背景技術(shù)：
1、碳化硅(sic)作為新興的第三代半導(dǎo)體核心材料，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高電子遷移率以及良好的抗輻照性和化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)異性，這使其成為一種廣泛應(yīng)用的重要襯底晶片材料，在航空器件、新能源汽車、軌道交通和家用電器等領(lǐng)域展現(xiàn)了良好的應(yīng)用前景。
2、現(xiàn)有的一些pvt氣相法生長(zhǎng)碳化硅晶體在在生長(zhǎng)過程中，會(huì)存在碳包裹的現(xiàn)象，進(jìn)而容易影響碳化硅晶體的生長(zhǎng)質(zhì)量。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的包括提供一種碳化硅晶體長(zhǎng)晶爐，其能夠有效降低碳包裹的現(xiàn)象，以提高碳化硅晶體的生長(zhǎng)質(zhì)量。
2、本發(fā)明的實(shí)施例可以這樣實(shí)現(xiàn)：
3、第一方面，本發(fā)明提供一種碳化硅晶體長(zhǎng)晶爐，包括：
4、上坩堝，上坩堝內(nèi)設(shè)置有籽晶及導(dǎo)流罩，導(dǎo)流罩的外壁與上坩堝內(nèi)壁共同限定出分流腔，導(dǎo)流罩的內(nèi)壁與籽晶共同限定出生長(zhǎng)腔；
5、下坩堝，下坩堝與上坩堝連接，下坩堝具有用于放置原料的原料腔；
6、過濾組件，過濾組件包括均安裝于原料腔內(nèi)的第一過濾件及第二過濾件，第一過濾件的孔隙率小于第二過濾件的孔隙率，第一過濾件與生長(zhǎng)腔相對(duì)，第二過濾件呈圓環(huán)狀且套設(shè)于第一過濾件的外周壁，第二過濾件與分流腔相對(duì)，第二過濾件的上端面與導(dǎo)流罩的下端面抵接；
7、其中，原料腔內(nèi)的生長(zhǎng)氣氛能經(jīng)過第一過濾件進(jìn)入生長(zhǎng)腔，原料腔內(nèi)的生長(zhǎng)氣氛能經(jīng)過第二過濾件進(jìn)入分流腔，導(dǎo)流罩由多孔石墨制成，分流腔的徑向尺寸小于生長(zhǎng)腔的徑向尺寸。
8、在可選的實(shí)施方式中，生長(zhǎng)腔在下坩堝底面的正投影落入第一過濾件在下坩堝底面的正投影內(nèi)。
9、在可選的實(shí)施方式中，分流腔在下坩堝底面的正投影落入第二過濾件在下坩堝底面的正投影內(nèi)。
10、在可選的實(shí)施方式中，碳化硅晶體長(zhǎng)晶爐還包括第三過濾件，第三過濾件設(shè)置于第一過濾件及第二過濾件遠(yuǎn)離生長(zhǎng)腔的一側(cè)，第三過濾件呈環(huán)狀設(shè)置且與生長(zhǎng)腔同軸，第三過濾件的外周壁在下坩堝底壁上的正投影落入第二過濾件在下坩堝底壁上的正投影范圍內(nèi)。
11、在可選的實(shí)施方式中，第三過濾件的外周壁在下坩堝底壁上的正投影落入導(dǎo)流罩的外周壁在下坩堝底壁上的正投影范圍內(nèi)；
12、和/或第三過濾件與第一過濾件和/或第二過濾件的下端面粘接。
13、在可選的實(shí)施方式中，分流腔、生長(zhǎng)腔、第一過濾件及第二過濾件同軸設(shè)置。
14、在可選的實(shí)施方式中，導(dǎo)流罩的上端內(nèi)側(cè)與籽晶在徑向上具有預(yù)設(shè)間隙。
15、在可選的實(shí)施方式中，分流腔的徑向尺寸為1-10mm。
16、在可選的實(shí)施方式中，下坩堝的內(nèi)壁凸設(shè)有環(huán)狀的支撐臺(tái)階，第二過濾件放置于支撐臺(tái)階；
17、和/或第二過濾件的下端凸設(shè)有環(huán)狀的支撐凸臺(tái)，第一過濾件放置于支撐凸臺(tái)。
18、在可選的實(shí)施方式中，上坩堝頂部設(shè)置有透氣孔，透氣孔與分流腔連通。
19、本發(fā)明實(shí)施例提供的一種碳化硅晶體長(zhǎng)晶爐包括上坩堝、下坩堝及過濾組件。上坩堝設(shè)置有籽晶內(nèi)設(shè)置有籽晶及導(dǎo)流罩，導(dǎo)流罩的外壁與上坩堝的內(nèi)壁共同限定出分流腔，導(dǎo)流罩的內(nèi)壁與籽晶共同限定出生長(zhǎng)腔。下坩堝具有用于放置原料的原料腔，下坩堝與上坩堝連接，過濾組件包括均安裝于原料腔的第一過濾件及第二過濾件，第一過濾件的孔隙率小于第二過濾件的孔隙率，第一過濾件與生長(zhǎng)腔相對(duì)，第二過濾件呈圓環(huán)狀且套設(shè)于第一過濾件的外周壁，第二過濾件與分流腔相對(duì)，第二過濾件的上端面與導(dǎo)流罩的下端面抵接，原料腔內(nèi)的生長(zhǎng)氣氛能經(jīng)過第一過濾件進(jìn)入生長(zhǎng)腔，原料腔內(nèi)的生長(zhǎng)氣氛能經(jīng)過第二過濾件進(jìn)入分流腔，導(dǎo)流罩由多孔石墨制成。第一過濾件的作用具有一定的過濾效果，以減小碳顆粒流入生長(zhǎng)腔內(nèi)。由于第一過濾件的孔隙率小于第二過濾件的孔隙率，因此，分流腔內(nèi)氣流上升速度相較于生長(zhǎng)腔內(nèi)氣流上升速度快，因此生長(zhǎng)腔內(nèi)的壓力高于分流腔內(nèi)的壓力，能夠使得生長(zhǎng)腔內(nèi)的碳顆粒向?qū)Я髡值膬?nèi)壁引流，以使碳顆粒吸附于導(dǎo)流罩內(nèi)壁，從而降低碳化硅晶體生長(zhǎng)時(shí)出現(xiàn)碳包裹現(xiàn)象。
1.一種碳化硅晶體長(zhǎng)晶爐，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶體長(zhǎng)晶爐，其特征在于：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶體長(zhǎng)晶爐，其特征在于：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶體長(zhǎng)晶爐，其特征在于：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅晶體長(zhǎng)晶爐，其特征在于：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶體長(zhǎng)晶爐，其特征在于：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶體長(zhǎng)晶爐，其特征在于：
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶體長(zhǎng)晶爐，其特征在于：
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶體長(zhǎng)晶爐，其特征在于：
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶體長(zhǎng)晶爐，其特征在于：