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減反射膜、鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池、光伏組件的制作方法

文檔序號:43296654發(fā)布日期:2025-10-10 18:13閱讀:20來源:國知局

本申請涉及太陽能電池,具體涉及減反射膜、鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池、光伏組件。


背景技術:

1、鈣鈦礦材料具有寬帶隙,能夠吸收短波長的光;鈣鈦礦太陽能電池由于其高光電轉(zhuǎn)換效率、結構簡單、制備工藝多樣化、成本低等優(yōu)點受到關注。晶硅材料具有較窄的帶隙,能夠吸收長波長的光。晶硅太陽能電池是最常見的太陽能電池之一,其表面的反射率較高,即使經(jīng)過表面處理,仍有部分光反射損失。鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池主要利用鈣鈦礦材料的寬帶隙、高吸收系數(shù)和高載流子遷移率以及晶硅材料的較窄帶隙、穩(wěn)定性和良好的電子傳輸性能,提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

2、各類太陽能電池中,太陽電池表面光的反射損耗是制約太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率提高的重要因素。目前,各類太陽能電池通常采用單一材質(zhì)的單層減反射膜降低太陽電池表面光的反射損耗,但是單一材質(zhì)的單層減反射膜對于光的減反射能力有限,影響太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

3、需要說明的是,上述內(nèi)容并不必然是現(xiàn)有技術,也不用于限制本申請的專利保護范圍。


技術實現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術的不足,本申請的目的是提供可以優(yōu)化光的吸收、能大幅降低太陽電池表面光的反射損耗、提升太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率的減反射膜、鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池、光伏組件。

2、為實現(xiàn)上述目的,本申請采用如下技術方案:

3、一種減反射膜,包括交替分布的第一區(qū)域和第二區(qū)域;

4、所述第一區(qū)域為第一氮化硅層;

5、所述第二區(qū)域為氧化硅層;相鄰的所述第一氮化硅層與所述氧化硅層之間邊緣端面相連。

6、在其中一些實施方式中,所述減反射膜的厚度為50~100nm。

7、在其中一些實施方式中,所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域陣列排布。

8、在其中一些實施方式中,任一所述第一區(qū)域的寬度為50~100mm;

9、和/或,任一所述第二區(qū)域的寬度為50~100mm。

10、本申請還提供了一種鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池,包括鈣鈦礦電池、如上述的減反射膜;

11、其中,所述減反射膜設置在所述鈣鈦礦電池的受光面上。

12、在其中一些實施方式中,還包括晶硅電池;所述鈣鈦礦電池和所述晶硅電池層疊設置;

13、所述鈣鈦礦電池和所述晶硅電池之間設置有第二氮化硅層。

14、在其中一些實施方式中,所述第二氮化硅層包括第一子氮化硅層、第二子氮化硅層,所述第一子氮化硅層和所述第二子氮化硅層層疊設置。

15、在其中一些實施方式中,所述第一子氮化硅層相較于所述第二子氮化硅層更靠近所述鈣鈦礦電池;

16、所述第一子氮化硅層的厚度為20~30nm;

17、和/或,所述第二子氮化硅層的厚度為10~20nm。

18、在其中一些實施方式中,所述鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池包括依次層疊的第一電極、第一透明導電層、n型摻雜非晶硅層、第一本征非晶硅層、n型晶體硅層、第二本征非晶硅層、p型摻雜非晶硅層、第二氮化硅層、第二透明導電層、空穴傳輸層、鈣鈦礦層、電子傳輸層、第三透明導電層、所述減反射膜、第二電極。

19、本申請還提供了一種光伏組件,包括:

20、如上述的鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池。

21、本申請技術方案中,組成減反射膜的第一氮化硅層、氧化硅層的折射率和反射率均不同,可以優(yōu)化光的吸收、減少反射損失,相較于單一材質(zhì)的單層減反射膜而言,能大幅降低太陽電池表面光的反射損耗,提升太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。



技術特征:

1.一種減反射膜,其特征在于,包括交替分布的第一區(qū)域和第二區(qū)域;

2.根據(jù)權利要求1所述的一種減反射膜,其特征在于,所述減反射膜的厚度為50~100nm。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的減反射膜,其特征在于,所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域陣列排布。

4.根據(jù)權利要求3所述的減反射膜,其特征在于,任一所述第一區(qū)域的寬度為50~100mm;

5.一種鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池,其特征在于,包括鈣鈦礦電池、如權利要求1-4中任一項所述的減反射膜;

6.根據(jù)權利要求5所述的鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池,其特征在于,還包括晶硅電池;所述鈣鈦礦電池和所述晶硅電池層疊設置;

7.根據(jù)權利要求6所述的鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池,其特征在于,所述第二氮化硅層包括第一子氮化硅層、第二子氮化硅層,所述第一子氮化硅層和所述第二子氮化硅層層疊設置。

8.根據(jù)權利要求7所述的鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池,其特征在于,所述第一子氮化硅層相較于所述第二子氮化硅層更靠近所述鈣鈦礦電池;

9.如權利要求6-8中任一項所述的鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池,其特征在于,所述鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池包括依次層疊的第一電極、第一透明導電層、n型摻雜非晶硅層、第一本征非晶硅層、n型晶體硅層、第二本征非晶硅層、p型摻雜非晶硅層、第二氮化硅層、第二透明導電層、空穴傳輸層、鈣鈦礦層、電子傳輸層、第三透明導電層、所述減反射膜、第二電極。

10.一種光伏組件,其特征在于,包括:


技術總結
本申請?zhí)峁┝藴p反射膜、鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池、光伏組件,涉及太陽能電池技術領域。減反射膜包括交替分布的第一區(qū)域和第二區(qū)域;所述第一區(qū)域為第一氮化硅層;所述第二區(qū)域為氧化硅層;相鄰的所述第一氮化硅層與所述氧化硅層之間邊緣端面相連。本申請技術方案中,組成減反射膜的第一氮化硅層、氧化硅層的折射率和反射率均不同,可以優(yōu)化光的吸收、減少反射損失,相較于單一材質(zhì)的單層減反射膜而言,能大幅降低太陽電池表面光的反射損耗,提升太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

技術研發(fā)人員:胡宇杰
受保護的技術使用者:天合光能股份有限公司
技術研發(fā)日:20241127
技術公布日:2025/10/9
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