本發(fā)明涉及等離子體處理裝置用部件及部件的制造方法。
背景技術(shù)：
1、專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了一種利用大氣壓等離子體熱噴涂法在部件上形成皮膜的等離子體處理裝置用部件的制造方法。在該部件制造方法中，針對(duì)構(gòu)成基材孔內(nèi)周面的陽(yáng)極氧化鋁膜，采用大氣壓等離子體熱噴涂法，依次形成例如為氧化釔熱噴涂膜的中間層及皮膜。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
3、專利文獻(xiàn)
4、【專利文獻(xiàn)1】日本特開(kāi)2018-168474號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、發(fā)明要解決的課題
2、本發(fā)明提供一種能夠抑制等離子體導(dǎo)致熱噴涂膜破損的技術(shù)。
3、【解決課題的手段】
4、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，提供一種等離子體處理裝置用部件，其包含基材和位于所述基材的表面的熱噴涂膜，所述基材的表面具備主表面，和在與所述熱噴涂膜的終端部重疊的位置，相對(duì)于所述主表面凹陷的凹部，所述熱噴涂膜具有在所述基材的主表面和所述凹部的內(nèi)部的一部分上連續(xù)設(shè)置的第1熱噴涂膜，以及包含與所述第1熱噴涂膜不同的材料，通過(guò)在所述第1熱噴涂膜上及所述凹部的內(nèi)部的其他部分上連續(xù)設(shè)置，覆蓋所述第1熱噴涂膜的第2熱噴涂膜。
5、【發(fā)明的效果】
6、根據(jù)一個(gè)方式，能夠抑制等離子體導(dǎo)致的熱噴涂膜破損。
1.一種等離子體處理裝置用部件，其包含基材和位于所述基材的表面的熱噴涂膜，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置用部件，所述凹部從開(kāi)口朝向深度方向，依次具有第1臺(tái)階面和第2臺(tái)階面，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置用部件，所述基材在該基材的主表面和所述第1臺(tái)階面之間具有第1傾斜面，并且在所述第1臺(tái)階面和所述第2臺(tái)階面之間具有第2傾斜面，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體處理裝置用部件，所述第1傾斜面相對(duì)于所述基材的主表面，以105°～165°的范圍中任意的角度傾斜，
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體處理裝置用部件，所述第1熱噴涂膜的終端位于，所述第1臺(tái)階面和所述第2傾斜面的分界。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體處理裝置用部件，所述第2熱噴涂膜的終端位于，所述第2臺(tái)階面中的與所述第2傾斜面相連的端部的相反側(cè)的端部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任1項(xiàng)所述的等離子體處理裝置用部件，所述第1熱噴涂膜由比所述第2熱噴涂膜高耐電壓的材料形成，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置用部件，所述第1熱噴涂膜含有氟化釔、氧化釔、氟氧化釔、鋁酸釔及氧化鋁中的至少1個(gè)，
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任1項(xiàng)所述的等離子體處理裝置用部件，所述部件為，在等離子體處理腔室的內(nèi)部設(shè)于氣體的排氣線路的擋板、在所述等離子體處理腔室的內(nèi)部遮擋等離子體的遮板及在所述等離子體處理腔室的內(nèi)表面形成的屏蔽部中的至少1個(gè)。
10.一種部件的制造方法，是包含基材和位于所述基材的表面的熱噴涂膜的等離子體處理裝置用部件的制造方法，其具有：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件的制造方法，所述工序(a)中，提供所述基材，其在所述凹部的底面具有第1臺(tái)階面，
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的部件的制造方法，所述工序(a)中，提供所述基材，在所述基材的主表面和所述第1臺(tái)階面之間具有第1傾斜面，
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件的制造方法，所述工序(a)中，提供所述基材，其從所述凹部的開(kāi)口朝向深度方向，依次具有第1臺(tái)階面和第2臺(tái)階面，
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的部件的制造方法，所述工序(a)中，提供所述基材，在所述基材的主表面和所述第1臺(tái)階面之間具有第1傾斜面，且在所述第1臺(tái)階面和所述第2臺(tái)階面之間具有第2傾斜面，