本發(fā)明是涉及半導(dǎo)體的，尤指一種應(yīng)用于輸送設(shè)備中，以實(shí)現(xiàn)芯片從一工序轉(zhuǎn)移到另一工序時(shí)的清洗作業(yè)的半導(dǎo)體芯片傾斜清洗的方法。
背景技術(shù)：
1、在微電子制造過程中，半導(dǎo)體芯片的清洗是一項(xiàng)至關(guān)重要的步驟，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，尤其是集成電路(ic)的特征尺寸不斷縮小，對(duì)芯片表面清潔度的要求越來越高，任何微小的污染物都可能導(dǎo)致芯片性能下降，甚至造成產(chǎn)品失效，因此，開發(fā)有效、可靠且經(jīng)濟(jì)的清洗技術(shù)是半導(dǎo)體制造業(yè)的一個(gè)重要研究方向。
2、傳統(tǒng)的清洗方法，如濕式清洗，使用各種化學(xué)溶劑和水對(duì)芯片進(jìn)行清洗，雖然可以有效去除芯片上的多種不純物，但濕式清洗的方法通常涉及到大量的化學(xué)溶劑，對(duì)環(huán)境有害；此外，在清洗極微小的芯片結(jié)構(gòu)時(shí)，濕式清洗可能不夠精準(zhǔn)，因此難以去除所有的微小顆粒和污染物，導(dǎo)致芯片容易損壞或性能下降。
3、還有一種清洗技術(shù)是干式清洗，例如等離子體清洗，是使用電漿產(chǎn)生的活性物種去除表面污染物，這種方法相對(duì)于濕式清洗，對(duì)環(huán)境的影響較小，但可能會(huì)對(duì)芯片表面造成損害，并且不足以去除所有類型的污染物，特別是當(dāng)污染物牢固附著在芯片表面時(shí)，去除的效果有限。
4、另一種清洗技術(shù)是旋轉(zhuǎn)式清洗，使用離心力來去除芯片上的藥液或藥水，但其清洗效果在芯片的不同部位不均勻，特別是在芯片圓心附近，離心力的作用減弱，導(dǎo)致所述區(qū)域的清洗效果不佳，此外，由于需要高速旋轉(zhuǎn)以達(dá)到有效的清洗，這增加了藥液的耗散，進(jìn)而延長(zhǎng)了清洗時(shí)間并提高了耗材成本。
5、有鑒于此，本發(fā)明的目的就是要克服上述問題，創(chuàng)作出一種清洗過程中對(duì)治具和基板進(jìn)行傾斜，以有效清洗芯片與基板間的間隙，從而提高清洗效率和效果的半導(dǎo)體芯片傾斜清洗的方法，以改善上述傳統(tǒng)清洗技術(shù)在高精度芯片清洗上的局限性，為半導(dǎo)體制造行業(yè)提供了一種更高效、更全面的清洗解決方案。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為解決上述問題及達(dá)到本發(fā)明的目的，本發(fā)明的技術(shù)手段是這樣實(shí)現(xiàn)的，為一種半導(dǎo)體芯片傾斜清洗的方法，一種半導(dǎo)體芯片傾斜清洗的方法，用于對(duì)置放在輸送帶上以治具進(jìn)行運(yùn)輸?shù)拇龂娤次?，進(jìn)行清洗，所述治具具有至少一清潔區(qū)域，所述待噴洗物包括有至少一基板及至少一芯片，所述待噴洗物設(shè)于所述清潔區(qū)域內(nèi)，所述芯片與所述基板間形成有間隙，其包括下列步驟：步驟一：治具朝向輸送帶輸送方向的一側(cè)往下傾斜；步驟二：設(shè)定至少兩噴頭分別對(duì)準(zhǔn)于清潔區(qū)域內(nèi)所述芯片的間隙；步驟三：前述噴頭沿著前述芯片的排列方向，同步移動(dòng)，對(duì)所述間隙進(jìn)行清洗；步驟四：清洗完前述芯片的間隙后，若無鄰近清潔區(qū)域，則結(jié)束清洗，若有鄰近清潔區(qū)域，則前述噴頭同步移動(dòng)至鄰近清潔區(qū)域，并分別對(duì)準(zhǔn)此清潔區(qū)域內(nèi)的芯片的間隙；步驟五：重復(fù)步驟二和步驟三，直至清洗完所有芯片的間隙；以及步驟六：前述步驟五執(zhí)行結(jié)束后，讓治具恢復(fù)水平狀態(tài)，再讓治具遠(yuǎn)離輸送帶輸送方向的一側(cè)往下傾斜，重復(fù)步驟二至步驟五，直至再次清洗完所有芯片的間隙；前述各步驟中的噴頭為一流體噴頭。
2、進(jìn)一步而言，上述技術(shù)方案中，所述步驟一和步驟六中，所述治具傾斜的角度為20至70度。
3、進(jìn)一步而言，上述技術(shù)方案中，所述步驟三的清洗次數(shù)可為：一次單向清洗或多次來回清洗。
4、進(jìn)一步而言，上述技術(shù)方案中，所述噴頭的壓力為5至125kgf/cm2。
5、進(jìn)一步而言，上述技術(shù)方案中，所述噴頭可朝所述間隙方向傾斜調(diào)整角度；所述噴頭的角度為20至90度。
6、進(jìn)一步而言，上述技術(shù)方案中，所述噴頭為可拆卸式，以便于替換或調(diào)整。
7、進(jìn)一步而言，上述技術(shù)方案中，所述芯片以助焊劑定位于所述基板上。
8、若采用上述本發(fā)明技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)比較，具有如下效益：
9、第一點(diǎn)：通過實(shí)施步驟一和步驟六傾斜治具，能更有效地將清洗液引導(dǎo)至芯片和基板間的狹窄間隙，以確保清洗液能夠覆蓋到需要清洗的所有清潔區(qū)域，讓每個(gè)芯片的間隙都能被均勻且徹底地清洗，從而提高清潔效果。
10、第二點(diǎn)：本發(fā)明中，使用一流體噴頭進(jìn)行清洗，能夠更均勻地分布清洗液，尤其是在芯片的狹窄間隙中，提高了清洗的均勻性、深入性和質(zhì)量，以減少污染物殘留的風(fēng)險(xiǎn)。
11、第三點(diǎn)：通過實(shí)施步驟一和步驟六傾斜治具，能夠減少清洗液和其他耗材的使用量，從而達(dá)到減少?gòu)U料并降低成本的效果。
12、第四點(diǎn)：本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片傾斜清洗的方法，適用于不同尺寸和類型的芯片，因此具有很高的適應(yīng)性，可以廣泛應(yīng)用于各種半導(dǎo)體制造過程中，以達(dá)到適應(yīng)性強(qiáng)的效果。
1.一種半導(dǎo)體芯片傾斜清洗的方法，其特征在于，用于對(duì)置放在輸送帶(10)上以治具(20)進(jìn)行運(yùn)輸?shù)拇龂娤次?30)，進(jìn)行清洗，所述治具(20)具有至少一清潔區(qū)域(60)，所述待噴洗物(30)包括有至少一基板(301)及至少一芯片(302)，所述待噴洗物(30)設(shè)于所述清潔區(qū)域(60)內(nèi)，所述芯片(302)與所述基板(301)間形成有間隙(303)，其包括下列步驟：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片傾斜清洗的方法，其特征在于，所述步驟一(1)和步驟六(6)中，所述治具(20)傾斜的角度為20至70度。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片傾斜清洗的方法，其特征在于，所述步驟三(3)的清洗次數(shù)可為：一次單向清洗或多次來回清洗。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片傾斜清洗的方法，其特征在于，所述噴頭(40)的壓力為5至125kgf/cm2。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體芯片傾斜清洗的方法，其特征在于，所述噴頭(40)可朝所述間隙(303)方向傾斜調(diào)整角度；
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片傾斜清洗的方法，其特征在于，所述噴頭(40)為可拆卸式，以便于替換或調(diào)整。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片傾斜清洗的方法，其特征在于，所述芯片(302)以助焊劑(50)定位于所述基板(301)上。