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一種存儲(chǔ)器、位線控制方法和電子設(shè)備與流程

文檔序號(hào):42293365發(fā)布日期:2025-06-27 18:28閱讀:12來(lái)源:國(guó)知局

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,尤其涉及一種存儲(chǔ)器、位線控制方法和電子設(shè)備。


背景技術(shù):

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器被廣泛地應(yīng)用于電子裝置中。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic?random?access?memory,dram)屬于一種揮發(fā)性存儲(chǔ)器,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器因?yàn)榇嫒∷俣瓤?,常用?lái)作為高速緩沖存儲(chǔ)器(cache)。

2、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器主要包括外圍電路(periphery)和存儲(chǔ)陣列(core)兩部分,為了進(jìn)一步提高存儲(chǔ)密度,三維dram(3d?dram)將外圍電路(periphery)和存儲(chǔ)陣列(core)分別設(shè)置在兩個(gè)獨(dú)立的芯片中,再將2個(gè)芯片通過(guò)鍵合的方式進(jìn)行連接。然而,對(duì)于目前的3d?dram,其中存在嚴(yán)重的本地位線耦合問(wèn)題(bl-to-bl?coupling),從而造成感測(cè)裕度(sensing?margin)的損失。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種存儲(chǔ)器、位線控制方法和電子設(shè)備。

2、本公開(kāi)的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:

3、第一方面,本公開(kāi)提供了一種存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)器包括第一芯片,第一芯片包括多個(gè)存儲(chǔ)陣列片,且每一存儲(chǔ)陣列片均包括沿第三方向依次堆疊的多個(gè)存儲(chǔ)層組;每一存儲(chǔ)層組中具有沿第一方向延伸的多個(gè)本地位線,多個(gè)本地位線沿第二方向依次排列;每一存儲(chǔ)層組的第一側(cè)具有第一公共位線,每一存儲(chǔ)層組的第二側(cè)具有第二公共位線,第一側(cè)和第二側(cè)沿第一方向相對(duì),第一方向和第二方向相交,第三方向垂直于第一方向且垂直于第二方向;每一存儲(chǔ)層組中還包括多個(gè)位線選擇器和多個(gè)預(yù)充開(kāi)關(guān);沿第三方向?qū)Χ鄠€(gè)存儲(chǔ)層組進(jìn)行編號(hào):在奇編號(hào)的存儲(chǔ)層組中,每一本地位線經(jīng)由各自的位線選擇器耦接至各自的第一公共位線,每一本地位線經(jīng)由各自的預(yù)充開(kāi)關(guān)耦接至各自的第二公共位線;在偶編號(hào)的存儲(chǔ)層組中,每一本地位線經(jīng)由各自的預(yù)充開(kāi)關(guān)耦接至各自的第一公共位線,每一本地位線經(jīng)由各自的位線選擇器耦接至各自的第二公共位線。

4、在一些實(shí)施例中,第一公共位線的第一側(cè)還設(shè)置有第一臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu),第二公共位線的第二側(cè)還設(shè)置有第二臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu),第一臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu)和第二臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu)均連接至感測(cè)放大區(qū)域;奇編號(hào)的存儲(chǔ)層組的第一公共位線連接至第一臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu),偶編號(hào)的存儲(chǔ)層組的第二公共位線連接至第二臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu)。

5、在一些實(shí)施例中,第一臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu)和第二臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu)均包括多級(jí)臺(tái)階,奇編號(hào)的存儲(chǔ)層組的每一第一公共位線經(jīng)由第一臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu)的一個(gè)臺(tái)階耦接至感測(cè)放大區(qū)域中的一個(gè)感測(cè)放大器;偶編號(hào)的存儲(chǔ)層組的每一第二公共位線經(jīng)由第二臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu)的一個(gè)臺(tái)階耦接至感測(cè)放大區(qū)域中的一個(gè)感測(cè)放大器。

6、在一些實(shí)施例中,對(duì)于第一臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu),連續(xù)的若干級(jí)臺(tái)階形成一個(gè)臺(tái)階組,且多個(gè)臺(tái)階組沿第二方向間隔排列;對(duì)于第二臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu),連續(xù)的若干級(jí)臺(tái)階形成一個(gè)臺(tái)階組,且多個(gè)臺(tái)階組沿第二方向間隔排列。

7、在一些實(shí)施例中,存儲(chǔ)器還包括第二芯片,第一芯片與第二芯片沿第三方向堆疊,且第一芯片與第二芯片鍵合連接;感測(cè)放大區(qū)域位于第二芯片。

8、在一些實(shí)施例中,每一存儲(chǔ)陣列片還包括多個(gè)本地字線,且每一本地字線沿第三方向貫穿多個(gè)存儲(chǔ)層組。

9、在一些實(shí)施例中,存儲(chǔ)器還包括沿第二方向延伸的多個(gè)公共字線,且沿第二方向?qū)R的多個(gè)本地字線耦接至同一公共字線。

10、在一些實(shí)施例中,存儲(chǔ)層組還包括多個(gè)存儲(chǔ)單元,且每一存儲(chǔ)單元均分別連接到一個(gè)本地位線和一個(gè)本地字線;

11、存儲(chǔ)器,配置為在讀操作或?qū)懖僮鞯倪^(guò)程中,對(duì)于被選中的存儲(chǔ)單元,控制其連接的本地位線的位線選擇器處于接通狀態(tài),且控制其連接的本地位線的預(yù)充開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài);對(duì)于未被選中的存儲(chǔ)單元,控制其連接的本地位線的位線選擇器處于斷開(kāi)狀態(tài),且控制其連接的本地位線的預(yù)充開(kāi)關(guān)處于接通狀態(tài)。

12、在一些實(shí)施例中,在奇編號(hào)的存儲(chǔ)層組中,每一預(yù)充開(kāi)關(guān)位于對(duì)應(yīng)的本地位線的第三側(cè),每一位線選擇器位于對(duì)應(yīng)的本地位線的第四側(cè);第三側(cè)和第四側(cè)沿第二方向相對(duì);

13、在偶編號(hào)的存儲(chǔ)層組中,每一預(yù)充開(kāi)關(guān)位于對(duì)應(yīng)的本地位線的第四側(cè),每一位線選擇器位于對(duì)應(yīng)的本地位線的第三側(cè)。

14、在一些實(shí)施例中,位線選擇器和預(yù)充開(kāi)關(guān)均為cmos開(kāi)關(guān)。

15、第二方面,本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種位線控制方法,應(yīng)用于如第一方面存儲(chǔ)器,該方法包括:

16、基于地址信號(hào),在目標(biāo)存儲(chǔ)陣列片中選中沿第三方向?qū)R的多個(gè)本地位線;

17、在奇編號(hào)的存儲(chǔ)層組中,控制被選中的本地位線與所屬存儲(chǔ)層組的第一公共位線電接通,且控制未被選中的本地位線與所屬存儲(chǔ)層組的第二公共位線電接通;以及,在偶編號(hào)的存儲(chǔ)層組中,控制被選中的本地位線與所屬存儲(chǔ)層組的第二公共位線電接通,且控制未被選中的本地位線與所屬存儲(chǔ)層組的第一公共位線電接通。

18、在一些實(shí)施例中,方法還包括:

19、控制被選中的本地位線的位線選擇器為接通狀態(tài),且被選中的本地位線的預(yù)充開(kāi)關(guān)為關(guān)斷狀態(tài),以使得奇編號(hào)的存儲(chǔ)層中被選中的本地位線與第一公共位線電接通,偶編號(hào)的存儲(chǔ)層中被選中的本地位線與第二公共位線電接通;

20、控制未被選中的本地位線的位線選擇器為關(guān)斷狀態(tài),且未被選中的本地位線的預(yù)充開(kāi)關(guān)為接通狀態(tài),以使得奇編號(hào)的存儲(chǔ)層中未被選中的本地位線與第二公共位線電接通,偶編號(hào)的存儲(chǔ)層中未被選中的本地位線與第一公共位線電接通。

21、在一些實(shí)施例中,方法還包括:對(duì)于奇編號(hào)的存儲(chǔ)層組,控制第二公共位線的電位為預(yù)充電電位;以及,通過(guò)電荷分享及感測(cè)放大處理使第一公共位線的電位為低電位或高電位;對(duì)于偶編號(hào)的存儲(chǔ)層組,控制第一公共位線的電位為預(yù)充電電位;以及,通過(guò)電荷分享及感測(cè)放大處理使第二公共位線的電位為低電位或高電位;其中,低電位<預(yù)充電電位<高電平。

22、第三方面,本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種電子設(shè)備,所述電子設(shè)備包括如第一方面所述的存儲(chǔ)器。

23、本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種存儲(chǔ)器、位線控制方法和電子設(shè)備,對(duì)于奇編號(hào)的存儲(chǔ)層組,其中本地位線通過(guò)位線選擇器連接到第一公共位線,且通過(guò)預(yù)充開(kāi)關(guān)連接到第二公共位線;對(duì)于偶編號(hào)的存儲(chǔ)層組,其中本地位線通過(guò)位線選擇器連接到第二公共位線,且通過(guò)預(yù)充開(kāi)關(guān)連接到第一公共位線,同時(shí)所有的第一公共位線在垂直于所述存儲(chǔ)層組的方向上依次排列,所有的第二公共位線在垂直于所述存儲(chǔ)層組的方向上排列;這樣,在感測(cè)放大處理的過(guò)程中,對(duì)于在第三方向上相鄰的兩個(gè)第一公共位線,必然一個(gè)第一公共位線處于感測(cè)放大狀態(tài)(高電位或低電位),另一第一公共位線處于預(yù)充電電位;對(duì)于在第三方向上相鄰的兩個(gè)第二公共位線,必然一個(gè)第二公共位線處于感測(cè)放大狀態(tài)(高電位或低電位),另一第二公共位線處于預(yù)充電電位,相鄰公共位線的耦合情況明顯減弱,提高感測(cè)放大裕度。



技術(shù)特征:

1.一種存儲(chǔ)器,其特征在于,所述存儲(chǔ)器包括第一芯片,所述第一芯片包括多個(gè)存儲(chǔ)陣列片,且每一所述存儲(chǔ)陣列片均包括沿第三方向依次堆疊的多個(gè)存儲(chǔ)層組;每一所述存儲(chǔ)層組中具有沿第一方向延伸的多個(gè)本地位線,多個(gè)所述本地位線沿第二方向依次排列;每一所述存儲(chǔ)層組的第一側(cè)具有第一公共位線,每一所述存儲(chǔ)層組的第二側(cè)具有第二公共位線,所述第一側(cè)和所述第二側(cè)沿第一方向相對(duì),所述第一方向和所述第二方向相交,所述第三方向垂直于所述第一方向且垂直于所述第二方向;

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器,其特征在于,所述第一公共位線的第一側(cè)還設(shè)置有第一臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu),所述第二公共位線的第二側(cè)還設(shè)置有第二臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu),所述第一臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu)和所述第二臺(tái)階接觸結(jié)構(gòu)均連接至感測(cè)放大區(qū)域;

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器,其特征在于,

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器,其特征在于,

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器,其特征在于,所述存儲(chǔ)器還包括第二芯片,所述第一芯片與所述第二芯片沿第三方向堆疊,且所述第一芯片與所述第二芯片鍵合連接;

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器,其特征在于,

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器,其特征在于,所述存儲(chǔ)器還包括沿第二方向延伸的多個(gè)公共字線,且沿第二方向?qū)R的多個(gè)所述本地字線耦接至同一所述公共字線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器,其特征在于,所述存儲(chǔ)層組還包括多個(gè)存儲(chǔ)單元,且每一存儲(chǔ)單元均分別連接到一個(gè)所述本地位線和一個(gè)所述本地字線;

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器,其特征在于,

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器,其特征在于,

11.一種位線控制方法,其特征在于,應(yīng)用于如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述存儲(chǔ)器,該方法包括:

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的位線控制方法,其特征在于,所述方法還包括:

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的位線控制方法,其特征在于,所述方法還包括:

14.一種電子設(shè)備,其特征在于,所述電子設(shè)備包括如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)器。


技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)提供了一種存儲(chǔ)器、位線控制方法和電子設(shè)備,在存儲(chǔ)器的第一芯片中,每一存儲(chǔ)陣列片均包括沿第三方向依次堆疊的多個(gè)存儲(chǔ)層組,在奇編號(hào)的存儲(chǔ)層組中,每一本地位線經(jīng)由各自的位線選擇器耦接至各自的第一公共位線,每一本地位線經(jīng)由各自的預(yù)充開(kāi)關(guān)耦接至各自的第二公共位線;在偶編號(hào)的存儲(chǔ)層組中,每一本地位線經(jīng)由各自的預(yù)充開(kāi)關(guān)耦接至各自的第一公共位線,每一本地位線經(jīng)由各自的位線選擇器耦接至各自的第二公共位線。

技術(shù)研發(fā)人員:司書(shū)芳
受保護(hù)的技術(shù)使用者:長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/6/26
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