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合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)

文檔序號(hào):43681576發(fā)布日期:2025-11-07 19:13閱讀:12來源:國(guó)知局

本發(fā)明涉及超聲波無損檢測(cè),尤其涉及一種合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。


背景技術(shù):

1、隨著超高壓、特高壓的快速發(fā)展,氣體絕緣開關(guān)設(shè)備(gaslnsulated?switchgear,gis),混合氣體絕緣開關(guān)設(shè)備(hybrid?gas?insulated?switchgear,hgis)、罐式斷路器等裝設(shè)合閘電阻的開關(guān)設(shè)備被廣泛應(yīng)用。在上述器件中會(huì)使用到合閘電阻,合閘電阻用于限制合閘過電壓及勵(lì)磁涌流。由于斷路器合閘電阻的內(nèi)部特殊結(jié)構(gòu)以及機(jī)構(gòu)復(fù)雜,運(yùn)行可靠性并不理想,因此,亟需一種對(duì)合閘電阻片完整、有效的檢驗(yàn)檢測(cè)手段。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是如何提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)合閘電阻片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的均勻性進(jìn)行有效評(píng)價(jià)的方法及裝置。

2、為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是:一種合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像方法,包括如下步驟:

3、對(duì)目標(biāo)合閘電阻片進(jìn)行超聲c掃描,得到目標(biāo)合閘電阻片的待處理a掃信號(hào)集合;

4、對(duì)待處理a掃信號(hào)集合進(jìn)行預(yù)處理,獲得預(yù)處理后的數(shù)據(jù);

5、基于預(yù)處理后的數(shù)據(jù),遍歷所有a掃信號(hào)集合,識(shí)別其界面波和底面波的位置,確定合閘電阻片內(nèi)部的有效檢測(cè)區(qū)域;

6、提取確定的有效檢測(cè)區(qū)域范圍內(nèi)的數(shù)據(jù),重構(gòu)為三維體積數(shù)據(jù),并將指定深度的切面圖像保存為分層tiff圖片;

7、基于所識(shí)別的界面波和底面波的位置,計(jì)算合閘電阻片內(nèi)部的聲速分布,并將該聲速分布信息成像,保存為聲速分布tiff圖片;

8、將分層tiff圖片與聲速分布tiff圖片進(jìn)行融合,生成反映合閘電阻片內(nèi)部組織與聲速屬性的三維圖像,用于組織評(píng)價(jià)。

9、本發(fā)明還公開了一種合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像裝置,所述三維成像裝置運(yùn)行所述的三維成像方法,所述裝置包括:

10、數(shù)據(jù)采集模塊,用于對(duì)目標(biāo)合閘電阻片進(jìn)行超聲c掃描,得到目標(biāo)合閘電阻片的待處理a掃信號(hào)集合;

11、數(shù)據(jù)預(yù)處理模塊,用于對(duì)待處理a掃信號(hào)集合進(jìn)行預(yù)處理,獲得預(yù)處理后的數(shù)據(jù);

12、有效區(qū)域確定模塊:用于基于預(yù)處理后的數(shù)據(jù),遍歷所有a掃信號(hào)集合,識(shí)別其界面波和底面波的位置,確定合閘電阻片內(nèi)部的有效檢測(cè)區(qū)域;

13、分層圖片生成模塊,用于提取確定的有效檢測(cè)區(qū)域范圍內(nèi)的數(shù)據(jù),重構(gòu)為三維體積數(shù)據(jù),并將指定深度的切面圖像保存為分層tiff圖片;

14、分布圖片生成模塊,用于基于所識(shí)別的界面波和底面波的位置,計(jì)算合閘電阻片內(nèi)部的聲速分布,并將該聲速分布信息成像,保存為聲速分布tiff圖片;

15、三維融合可視化模塊,用于將分層tiff圖片與聲速分布tiff圖片進(jìn)行融合,生成反映合閘電阻片內(nèi)部組織與聲速屬性的三維圖像,用于組織評(píng)價(jià)。

16、本發(fā)明還公開了一種計(jì)算機(jī)設(shè)備,包括:存儲(chǔ)器、處理器以及存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器上并可在處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序以實(shí)現(xiàn)所述的合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像方法。

17、本發(fā)明還公開了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,該計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)用于實(shí)現(xiàn)所述的合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像方法。

18、采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:本申請(qǐng)所述方法對(duì)目標(biāo)合閘電阻片進(jìn)行超聲掃描,實(shí)現(xiàn)合閘電阻片超聲三維成像,并且將三維成像與聲速分布相融合,實(shí)現(xiàn)了合閘電阻片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)均勻性的有效評(píng)價(jià),能夠及時(shí)準(zhǔn)確的發(fā)現(xiàn)合閘電阻片存在的缺陷,使得具有合閘電阻片的電器元件運(yùn)行的更穩(wěn)定。



技術(shù)特征:

1.一種合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像方法,其特征在于包括如下步驟:

2.如權(quán)利要求1所述的合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像方法,其特征在于,獲得待處理a掃信號(hào)集合的方法包括如下步驟:

3.如權(quán)利要求1所述的合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像方法,其特征在于,對(duì)待處理a掃信號(hào)集合進(jìn)行預(yù)處理的方法包括如下步驟:

4.如權(quán)利要求1所述的合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像方法,其特征在于,確定合閘電阻片內(nèi)部的有效檢測(cè)區(qū)域的方法包括如下步驟:

5.如權(quán)利要求1所述的合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像方法,其特征在于,將指定深度的切面圖像保存為分層tiff圖片的方法包括如下步驟:

6.如權(quán)利要求1所述的合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像方法,其特征在于,保存為聲速分布tiff圖片的方法包括如下步驟:

7.如權(quán)利要求1所述的合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像方法,其特征在于:

8.一種合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像裝置,所述三維成像裝置運(yùn)行如權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的三維成像方法,其特征在于,所述裝置包括:

9.一種計(jì)算機(jī)設(shè)備,包括:存儲(chǔ)器、處理器以及存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器上并可在處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序以實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像方法。

10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,該計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)用于實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像方法。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種合閘電阻片組織評(píng)價(jià)的超聲三維成像方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì),涉及超聲波無損檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括如下步驟:對(duì)目標(biāo)合閘電阻片進(jìn)行超聲C掃描,得到目標(biāo)合閘電阻片的待處理A掃信號(hào)集合;對(duì)待處理A掃信號(hào)集合進(jìn)行預(yù)處理,獲得預(yù)處理后的數(shù)據(jù);識(shí)別其界面波和底面波的位置,確定合閘電阻片內(nèi)部的有效檢測(cè)區(qū)域;將指定深度的切面圖像保存為分層TIFF圖片;將該聲速分布信息成像,保存為聲速分布TIFF圖片;將分層TIFF圖片與聲速分布TIFF圖片進(jìn)行融合,生成反映合閘電阻片內(nèi)部組織與聲速屬性的三維圖像,用于組織評(píng)價(jià)。所述方法能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)合閘電阻片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的均勻性進(jìn)行有效評(píng)價(jià),能夠及時(shí)準(zhǔn)確的發(fā)現(xiàn)合閘電阻片存在的缺陷。

技術(shù)研發(fā)人員:龔欣,張同偉,曹仕園,李超,杜君莉,王朝華,陳曦
受保護(hù)的技術(shù)使用者:南昌航空大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/11/6
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