本公開涉及光源裝置和測距裝置。
背景技術(shù)：
1、傳統(tǒng)上，作為用于測量到對象的距離的測距裝置，已知有tof(飛行時間)方法的lidar(光檢測和測距)系統(tǒng)。作為lidar系統(tǒng)所用的光源，由于vcsel(垂直腔面發(fā)射laser(激光器))的諸如相對于溫度的波長依賴性低等的優(yōu)點，因此期望使用vcsel。
2、由于隨著功率更大、lidar系統(tǒng)的光源具有更長的測距距離，因此多個半導(dǎo)體發(fā)光元件可以以陣列布置，以能夠應(yīng)對整個面同時發(fā)光的閃光驅(qū)動。另外，lidar系統(tǒng)的光源可以被配置為支持使一列或數(shù)列順次發(fā)光的順次驅(qū)動。日本特開2021-136307號公報描述了如下的示例：半導(dǎo)體發(fā)光元件的數(shù)量可以是100至1000個，并且通過增加半導(dǎo)體發(fā)光元件的數(shù)量來增加輸出。
3、這里，由于隨著半導(dǎo)體發(fā)光元件的輸出增加、lidar系統(tǒng)的光源的電力消耗增加，因此設(shè)計為降低元件電阻以降低電力消耗。日本特開2021-136319號公報公開了如下的示例：通過增加作為半導(dǎo)體發(fā)光元件中的電流路徑的上部反射器的摻雜濃度來降低元件電阻。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、然而，在使用上述現(xiàn)有技術(shù)來構(gòu)成包括多個半導(dǎo)體發(fā)光元件的光源裝置的情況下，各半導(dǎo)體發(fā)光元件中的發(fā)光不均勻。
2、因此，本發(fā)明的目的是提供能夠提高多個半導(dǎo)體發(fā)光元件中的發(fā)光的均勻性的光源裝置。
3、根據(jù)本說明書的一個公開內(nèi)容，提供了一種光源裝置，其包括：多個半導(dǎo)體發(fā)光元件，其被配置為在半導(dǎo)體襯底的第一面?zhèn)壬享槾味询B第一反射器、包括第一活性層的第一半導(dǎo)體諧振器、第二反射器、以及第一電極，并且在所述半導(dǎo)體襯底的與所述第一面相對的第二面上堆疊第二電極；供電焊盤，其被配置為向所述多個半導(dǎo)體發(fā)光元件供給電力；以及配線，其被配置為將所述多個半導(dǎo)體發(fā)光元件中的各半導(dǎo)體發(fā)光元件連接到所述供電焊盤，其中，所述多個半導(dǎo)體發(fā)光元件根據(jù)相對于所述供電焊盤的距離被劃分為多個組，并且所述多個組中的各組包括至少一個半導(dǎo)體發(fā)光元件，以及其中，相對于所述供電焊盤的距離更短的組中的半導(dǎo)體發(fā)光元件被配置為在所述第一電極和所述第二電極之間具有更大的電阻值。
4、通過以下參考附圖對典型實施例的說明，本發(fā)明的更多特征將變得明顯。
1.一種光源裝置，包括：
2.一種光源裝置，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光源裝置，其中，所述多個組包括第一組和第二組，所述第二組所包括的半導(dǎo)體發(fā)光元件的電阻值比所述第一組的半導(dǎo)體發(fā)光元件的電阻值小。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光源裝置，
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光源裝置，其中，所述多個半導(dǎo)體發(fā)光元件在所述第一電極和所述第二反射器之間包括透明導(dǎo)電膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光源裝置，其中，所述多個半導(dǎo)體發(fā)光元件在所述第一反射器中包括可飽和吸收層。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光源裝置，其中，所述第一組的半導(dǎo)體發(fā)光元件被形成為使得所述第一電極和所述第二電極之間的距離比所述第二組的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述第一電極和所述第二電極之間的距離長，并且由于所述第一組的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述第一電極和所述第二電極之間的距離比所述第二組的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述第一電極和所述第二電極之間的距離長，因此所述第一組的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述第一電極和所述第二電極之間的電阻值比所述第二組的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述第一電極和所述第二電極之間的電阻值大。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光源裝置，其中，所述多個組中的第一組的半導(dǎo)體發(fā)光元件中的透明導(dǎo)電膜和所述第二反射器之間的接觸面積比所述多個組中的第二組的半導(dǎo)體發(fā)光元件中的透明導(dǎo)電膜和所述第二反射器之間的接觸面積小。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光源裝置，其中，所述多個半導(dǎo)體發(fā)光元件的至少所述第二反射器是臺地形狀，并且所述第一組中的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述第二反射器的寬度比所述第二組中的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述第二反射器的寬度窄。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光源裝置，其中，所述第一組的半導(dǎo)體發(fā)光元件在所述第二反射器內(nèi)包括質(zhì)子注入?yún)^(qū)域，并且通過包括所述質(zhì)子注入?yún)^(qū)域，所述第一組的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述第一電極和所述第二電極之間的電阻值比所述第二組的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述第一電極和所述第二電極之間的電阻值大。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光源裝置，
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光源裝置，其中，所述多個半導(dǎo)體發(fā)光元件在所述第一反射器中包括可飽和吸收層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光源裝置，
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光源裝置，其中，所述第一組的半導(dǎo)體發(fā)光元件中的透明導(dǎo)電膜和所述第二反射器之間的接觸面積比所述第二組的半導(dǎo)體發(fā)光元件中的透明導(dǎo)電膜和所述第二反射器之間的接觸面積小。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光源裝置，其中，所述多個半導(dǎo)體發(fā)光元件的至少所述第二反射器是臺地形狀，并且所述第一組中的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述第二反射器的寬度比所述第二組中的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述第二反射器的寬度窄。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光源裝置，其中，所述第一組的半導(dǎo)體發(fā)光元件在所述第二反射器內(nèi)包括質(zhì)子注入?yún)^(qū)域，并且通過包括所述質(zhì)子注入?yún)^(qū)域，所述第一組的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述第一電極和所述第二電極之間的電阻值比所述第二組的半導(dǎo)體發(fā)光元件的所述第一電極和所述第二電極之間的電阻值大。
17.一種光源裝置，包括：
18.一種測距裝置，包括：