本公開涉及光半導體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、近年，在移動體通信系統(tǒng)、云服務中，數(shù)據(jù)通信量正在迅速地增大，為了高速且大量處理龐大的數(shù)據(jù)通信量，需要光半導體裝置的高速化和大量的光半導體裝置。

2、例如，在專利文獻1中公開了將半導體激光器和光調(diào)制器集成于同一半導體基板之上，并且分別具有接觸層的光半導體裝置。在該光半導體裝置中，在半導體激光器和光調(diào)制器的上部使用外延生長方法形成作為p型半導體層的低電阻的接觸層。通過利用蝕刻除去接觸層中的半導體激光器與光調(diào)制器的連接部位之上的部位來形成隔離溝槽，從而斷開接觸層，抑制相互流動的電流。

3、專利文獻1：日本特開2000-275460號公報

4、然而，在專利文獻1所公開的光半導體裝置中，需要在半導體激光器與光調(diào)制器之間形成隔離溝槽，并且進而填埋該隔離溝槽的復雜的工序，其結(jié)果，工序數(shù)量增加，成為阻礙大量生產(chǎn)的重要因素。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開是為了解決上述問題而做出的，其目的在于，獲得一種不增加工序數(shù)量就能斷開接觸層的光半導體裝置及其制造方法。

2、本公開所涉及的光半導體裝置具備：半導體基板；活性層，形成于半導體基板之上，并產(chǎn)生激光；光調(diào)制層，形成于半導體基板之上，與活性層鄰接，并對激光進行調(diào)制；包層，形成于活性層以及光調(diào)制層之上；以及接觸層，形成于包層之上，在光調(diào)制層的上表面，且在活性層側(cè)的端部形成有第1突起，在包層的上表面，且在第1突起的鉛垂上方形成有第2突起，接觸層在激光的光軸方向上被第2突起斷開。

3、本公開所涉及的光半導體裝置的制造方法具備：在半導體基板之上形成產(chǎn)生激光的活性層的工序；在活性層之上形成絕緣膜的工序；將絕緣膜作為選擇生長掩模，在半導體基板之上形成與活性層鄰接，并在上表面的活性層側(cè)的端部具有第1突起，且對激光進行調(diào)制的光調(diào)制層的工序；除去絕緣膜的工序；在活性層以及光調(diào)制層之上，形成在第1突起的鉛垂上方的上表面具有第2突起的包層的工序；以及在包層之上，形成在激光的光軸方向上被第2突起斷開的接觸層的工序。

4、根據(jù)本公開，可以獲得不增加工序數(shù)量就能斷開接觸層的光半導體裝置及其制造方法。

技術(shù)特征：

1.一種光半導體裝置，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導體裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導體裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導體裝置，其中，

5.一種光半導體裝置的制造方法，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光半導體裝置的制造方法，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的光半導體裝置的制造方法，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光半導體裝置的制造方法，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求5～8中任一項所述的光半導體裝置的制造方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
具備：基板(16)；活性層(20)，形成于基板(16)之上，并產(chǎn)生激光；調(diào)制層(22)，形成于基板(16)之上，與活性層(20)鄰接，并對激光進行調(diào)制；包層(24)，形成于活性層(20)以及調(diào)制層(22)之上；以及接觸層(26)，形成于包層(24)之上，在調(diào)制層(22)的上表面，且在活性層(20)側(cè)的端部形成有1突起(28)，在包層(24)的上表面，且在1突起(28)的鉛垂上方形成有2突起(30)，接觸層(26)在激光的光軸方向上被2突起(30)斷開。

技術(shù)研發(fā)人員：尾上和之
受保護的技術(shù)使用者：三菱電機株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/6/26